特許

J-GLOBAL ID：201303093827360968

III族窒化物半導体膜およびその製造方法、ならびにIII族窒化物半導体デバイスおよびその製造方法

発明者： 松浦 尚
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-137270
公開番号（公開出願番号）：特開2013-004897
出願日： 2011年06月21日
公開日（公表日）： 2013年01月07日
要約：

【課題】均質なn型導電性のIII族窒化物半導体層を含むIII族窒化物半導体膜およびかかるIII族窒化物半導体膜を含むIII族窒化物半導体デバイスを提供する。【解決手段】本III族窒化物半導体膜20は、主面20m,21m,22mが(0001)面20cに対して0°より大きく180°より小さいオフ角θを有し、n型導電性を実質的に決定するドーパントが酸素であるIII族窒化物半導体層21,22を少なくとも1層含む。また、本III族窒化物半導体デバイスは、上記のIII族窒化物半導体膜20を含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

主面が(0001)面に対して0°より大きく180°より小さいオフ角を有し、n型導電性を実質的に決定するドーパントが酸素であるIII族窒化物半導体層を少なくとも1層含むIII族窒化物半導体膜。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  H01S 5/343 ,  C23C 16/34

FI (3件)：

H01L21/205 ,  H01S5/343 610 ,  C23C16/34

Fターム (33件)：

4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA11 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA03 ,  4K030FA10 ,  4K030JA04 ,  4K030LA14 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AF04 ,  5F045BB04 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F045EB15 ,  5F173AF38 ,  5F173AH22 ,  5F173AJ20 ,  5F173AP05 ,  5F173AP24 ,  5F173AP60 ,  5F173AR80