特許

J-GLOBAL ID：201303093923899711

半導体装置

発明者： 高石 芳宏
出願人/特許権者： エルピーダメモリ株式会社
代理人 (3件)： 池田 憲保 ,  福田 修一 ,  佐々木 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-233475
公開番号（公開出願番号）：特開2013-153133
出願日： 2012年10月23日
公開日（公表日）： 2013年08月08日
要約：

【課題】 複数の縦型トランジスタを接続した構造でも、個々のピラーに設けられたトランジスタの特性を安定化させることが可能な半導体装置を提供する。【解決手段】本発明の半導体装置100は、シリコン基板1から立ち上がるように設けられ、シリコン基板1の端部にピラー下部拡散層9を有する複数の縦型トランジスタ50と、シリコン基板1から立ち上がるように設けられ、複数の縦型トランジスタ50のピラー下部拡散層9に接続されるメタルコンタクトプラグ31を有し、複数の縦型トランジスタ50は、メタルコンタクトプラグ31の周囲に均等配置され、メタルコンタクトプラグ31を共有している。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体基板から立ち上がるように設けられ、前記半導体基板側の端部に拡散層を有する複数の縦型トランジスタと、 前記半導体基板から立ち上がるように設けられ、複数の前記縦型トランジスタの前記拡散層に接続される導電プラグと、 を有し、 複数の前記縦型トランジスタは、前記導電プラグの周囲に均等配置され、前記拡散層および前記導電プラグを共有している、半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  H01L 23/522 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/320

FI (3件)：

H01L29/78 301X ,  H01L21/88 J ,  H01L21/90 C

Fターム (86件)：

5F033HH19 ,  5F033HH34 ,  5F033JJ06 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033KK04 ,  5F033LL04 ,  5F033MM30 ,  5F033NN07 ,  5F033NN08 ,  5F033NN09 ,  5F033NN12 ,  5F033NN15 ,  5F033NN20 ,  5F033NN33 ,  5F033PP06 ,  5F033PP07 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ07 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ21 ,  5F033QQ23 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ38 ,  5F033QQ39 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ58 ,  5F033QQ65 ,  5F033QQ76 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033SS11 ,  5F033TT06 ,  5F033VV06 ,  5F033XX03 ,  5F033XX27 ,  5F140AA00 ,  5F140AA29 ,  5F140AB04 ,  5F140BA01 ,  5F140BB04 ,  5F140BC15 ,  5F140BE03 ,  5F140BE07 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF41 ,  5F140BF43 ,  5F140BF58 ,  5F140BF60 ,  5F140BG09 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG28 ,  5F140BG37 ,  5F140BG49 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BH08 ,  5F140BH09 ,  5F140BH10 ,  5F140BH30 ,  5F140BH47 ,  5F140BJ04 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ17 ,  5F140BJ20 ,  5F140BJ28 ,  5F140BK13 ,  5F140BK26 ,  5F140BK31 ,  5F140BK34 ,  5F140CA02 ,  5F140CA03 ,  5F140CB04 ,  5F140CC01 ,  5F140CC03 ,  5F140CE07 ,  5F140CE20