特許

J-GLOBAL ID：201303094394110143

窒化物半導体テンプレート及び発光ダイオード

発明者： 今野 泰一郎 ,  藤倉 序章
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-174593
公開番号（公開出願番号）：特開2013-062492
出願日： 2012年08月07日
公開日（公表日）： 2013年04月04日
要約：

【課題】低抵抗(表面比抵抗が20Ω/□以下)であり、結晶性が良好(XRD半値幅が50秒以上100秒以下)な窒化物半導体テンプレート、及びそれを用いた発光ダイオードを提供する。【解決手段】窒化物半導体テンプレート10は、基板11と、基板11上にO(酸素)が添加されたO添加層としてOドープGaN層13を形成し、OドープGaN層13上にSiが添加されたSi添加層としてのSiドープGaN層14を形成してなるIII族窒化物半導体層22とを備え、III族窒化物半導体層の全体の膜厚が4μm以上10μm以下であり、SiドープGaN層14におけるSiの平均キャリア濃度が1×1018cm-3以上5×1018cm-3以下である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上にO(酸素)が添加されたO添加層を形成し、前記O添加層上にSiが添加されたSi添加層を形成してなるIII族窒化物半導体層とを備え、前記III族窒化物半導体層の全体の膜厚が4μm以上10μm以下であり、前記III族窒化物半導体層の前記Si添加層におけるSiの平均キャリア濃度が1×1018cm-3以上5×1018cm-3以下である窒化物半導体テンプレート。

IPC (2件)：

H01L 33/32 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

H01L33/00 186 ,  H01L21/205

Fターム (26件)：

5F045AA01 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AC19 ,  5F045AD15 ,  5F045AF09 ,  5F045AF11 ,  5F045AF12 ,  5F045BB09 ,  5F045BB16 ,  5F045CA10 ,  5F045CA11 ,  5F045DA53 ,  5F045DA59 ,  5F045DA60 ,  5F045DQ08 ,  5F141AA21 ,  5F141AA40 ,  5F141CA05 ,  5F141CA40 ,  5F141CA54 ,  5F141CA57 ,  5F141CA64 ,  5F141CA65

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 窒化物系半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-212131   出願人：三洋電機株式会社
• III族窒化物半導体層の製造方法、及びIII族窒化物半導体発光素子、並びにランプ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-286690   出願人：昭和電工株式会社
• 窒化ガリウム結晶への酸素ドーピング方法と酸素ドープされたn型窒化ガリウム単結晶基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-103723   出願人：住友電気工業株式会社
• III族窒化物半導体発光素子及びその製造方法、並びにランプ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-046812   出願人：昭和電工株式会社