特許
J-GLOBAL ID:201303094430281545
無電解ニッケルめっき処理方法および無電解ニッケルめっき材
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
平木 祐輔
, 関谷 三男
, 美馬 保彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2011-236212
公開番号(公開出願番号):特開2013-091841
出願日: 2011年10月27日
公開日(公表日): 2013年05月16日
要約:
【課題】ニッケルめっき被膜に、はんだによりパワー素子などの素子を接合した場合であっても、熱伝導性の低下が抑制されるニッケルめっき被膜を得ることができる無電解ニッケルめっき処理方法を提供する。【解決手段】基材の処理表面を、炭素元素を含む無電解ニッケルめっき液に浸漬させて、無電解めっきにより、前記処理表面にニッケルめっき被膜を被覆する工程を少なくとも含む無電解ニッケルめっき処理方法である。無電解ニッケルめっき処理方法は、前記無電解ニッケルめっき液を、前記ニッケルめっき被膜を被覆する工程で繰り返し用いるものである。前記ニッケルめっき被膜を被覆する工程において、前記ニッケルめっき被膜中に共析する炭素量を調整しながら、前記ニッケルめっき被膜を被覆する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
基材の処理表面を、炭素元素を含む無電解ニッケルめっき液に浸漬させて、無電解めっきにより、前記処理表面にニッケルめっき被膜を被覆する工程を少なくとも含む無電解ニッケルめっき処理方法であって、
該無電解ニッケルめっき処理方法は、前記無電解ニッケルめっき液を、前記ニッケルめっき被膜を被覆する工程で繰り返し用いるものであり、
前記ニッケルめっき被膜を被覆する工程において、前記ニッケルめっき被膜中に共析する炭素量を調整しながら、前記ニッケルめっき被膜を被覆することを特徴とする無電解ニッケルめっき処理方法。
IPC (2件):
FI (3件):
C23C18/32
, H05K3/18 E
, H05K3/18 F
Fターム (37件):
4K022AA02
, 4K022AA13
, 4K022AA14
, 4K022AA15
, 4K022AA16
, 4K022AA20
, 4K022AA23
, 4K022AA24
, 4K022AA42
, 4K022BA04
, 4K022BA05
, 4K022BA14
, 4K022BA16
, 4K022BA19
, 4K022BA31
, 4K022CA03
, 4K022CA14
, 4K022CA16
, 4K022DA01
, 4K022DB02
, 4K022DB03
, 4K022DB05
, 4K022DB07
, 4K022DB08
, 4K022DB25
, 4K022DB30
, 5E343AA16
, 5E343AA17
, 5E343BB28
, 5E343BB44
, 5E343CC72
, 5E343CC73
, 5E343DD36
, 5E343EE02
, 5E343EE37
, 5E343ER02
, 5E343GG02
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