特許
J-GLOBAL ID：201303094478773040
半導体装置、冷却システム、及び、半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
中島 淳
, 加藤 和詳
, 福田 浩志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-046630
公開番号（公開出願番号）：特開2013-183073
出願日： 2012年03月02日
公開日（公表日）： 2013年09月12日
要約：
【課題】一つの側面として、半導体集積回路の反りを抑制することを目的とする。【解決手段】半導体装置10は、複数の半導体集積回路素子12と、はんだバンプ26と、スペーサ基板14とを備えている。複数の半導体集積回路素子12は、それぞれ貫通ビア22を有し、積層されている。はんだバンプ26は、一方の半導体集積回路素子12における貫通ビア22と他方の半導体集積回路素子12における貫通ビア22とを接続している。スペーサ基板14は、複数の半導体集積回路素子12の間に介在されて複数の半導体集積回路素子12の各々と接合されている。このスペーサ基板14は、はんだバンプ26に対応した位置にはんだバンプ26を収容する貫通孔40をそれぞれ有している。また、このスペーサ基板14は、樹脂層30を有しており、この樹脂層30における複数の貫通孔40の間には、冷媒を通過させるための溝42が形成されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
それぞれ貫通ビアを有し、積層された複数の半導体集積回路素子と、
一方の前記半導体集積回路素子における前記貫通ビアと他方の前記半導体集積回路素子における前記貫通ビアとを接続するはんだバンプと、
複数の半導体集積回路素子の間に介在されて前記複数の半導体集積回路素子の各々と接合されると共に、前記はんだバンプに対応した位置に前記はんだバンプを収容する貫通孔をそれぞれ有し、且つ、複数の前記貫通孔の間に冷媒を通過させるための溝が形成された樹脂層を有するスペーサ基板と、
を備えた半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
, H01L 23/473
H01L25/08 Z
, H01L23/46 Z
5F136CB07
, 5F136CB08
, 5F136CB13
