半導体装置及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：加藤朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-059640
公開番号（公開出願番号）：特開2013-197133
出願日： 2012年03月16日
公開日（公表日）： 2013年09月30日
要約：

【課題】シリンダ形状の下部電極が支持されているキャパシタを有する半導体装置及びその製造方法を提供すること。【解決手段】半導体装置の製造方法は、第1絶縁膜を形成する工程と、第1絶縁膜の上面を覆う第2絶縁膜を形成する工程と、第1絶縁膜の一部が露出すると共に、端面が第2絶縁膜の上面に対して上方向きに斜めとなるように、第2絶縁膜の一部を除去する工程と、第1絶縁膜の一部及び第2絶縁膜の上面を覆う第3絶縁膜を形成する工程と、開口が第1絶縁膜の一部と少なくとも部分的に重複し、第1絶縁膜、第2絶縁膜及び第3絶縁膜を連通すると共に、内壁に第2絶縁膜が露出する貫通孔を形成する工程と、貫通孔の内壁を覆うと共に、半導体基板と電気的に接続される下部電極を形成する工程と、第1絶縁膜及び第3絶縁膜を除去する工程と、容量絶縁膜を形成する工程と、上部電極を形成する工程と、を含む。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

半導体基板より上方に第1絶縁膜を形成する工程と、前記第1絶縁膜の上面を覆う第2絶縁膜を形成する工程と、前記第1絶縁膜の一部が露出すると共に、端面が前記第2絶縁膜の上面に対して上方向きに斜めとなるように、前記第2絶縁膜の一部を除去する工程と、前記第1絶縁膜の前記一部及び前記第2絶縁膜の上面を覆う第3絶縁膜を形成する工程と、開口が前記第1絶縁膜の前記一部と少なくとも部分的に重複し、前記第1絶縁膜、第2絶縁膜及び前記第3絶縁膜を連通すると共に、内壁に前記第2絶縁膜が露出する貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔の内壁を覆うと共に、前記半導体基板と電気的に接続される下部電極を形成する工程と、前記第1絶縁膜及び前記第3絶縁膜を除去する工程と、前記下部電極及び前記第2絶縁膜を覆う容量絶縁膜を形成する工程と、前記容量絶縁膜を覆うと共に、前記下部電極及び前記容量絶縁膜とでキャパシタを構成する上部電極を形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/824 , H01L 27/108

FI (4件)：

H01L27/10 621C , H01L27/10 681F , H01L27/10 651 , H01L27/10 671B

Fターム (18件)：

5F083AD04 , 5F083AD24 , 5F083AD48 , 5F083AD49 , 5F083AD56 , 5F083GA27 , 5F083JA02 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083MA20 , 5F083NA01 , 5F083PR03 , 5F083PR05 , 5F083PR40 , 5F083ZA28

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