不揮発性記憶装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：日向寺雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-206667
公開番号（公開出願番号）：特開2013-069821
出願日： 2011年09月21日
公開日（公表日）： 2013年04月18日
要約：

【課題】安定した動作が可能な不揮発性記憶装置を提供する。【解決手段】実施形態によれば、磁気記憶素子と制御部とを備えた不揮発性記憶装置が提供される。磁気記憶素子は積層体を含む。積層体は第1積層部と第2積層部とを含む。第1積層部は、磁化が固定された第1強磁性層と、磁化の方向が可変の第2強磁性層と、第1強磁性層と第2強磁性層との間に設けられた第1非磁性層と、を含む。第2積層部は、積層方向に沿って第1積層部と積層される。第2積層部は、通電される電流によって磁化が回転して発振が生じる第3強磁性層と、磁化が固定された第4強磁性層と、第3強磁性層と第4強磁性層との間に設けられた第2非磁性層と、を含む。制御部は、第2強磁性層の磁化の向きに応じた第3強磁性層の発振の周波数の変化を検出することで、第2強磁性層の磁化の向きを読み出す読み出し部を含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1方向に磁化が固定された第1強磁性層と、磁化の方向が可変である第2強磁性層と、前記第1強磁性層と前記第2強磁性層との間に設けられた第1非磁性層と、を含む第1積層部と、前記第1強磁性層、前記第2強磁性層及び前記第1非磁性層が積層される積層方向に沿って前記第1積層部と積層される第2積層部であって、通電される電流によって磁化が回転して発振が生じる第3強磁性層と、前記第3強磁性層と前記積層方向に沿って積層され第2方向に磁化が固定された第4強磁性層と、前記第3強磁性層と前記第4強磁性層との間に設けられた第2非磁性層と、を含む第2積層部と、を含む積層体を含む磁気記憶素子と、前記第2強磁性層の磁化の向きに応じた前記第3強磁性層の前記発振の周波数の変化を検出することで、前記第2強磁性層の前記磁化の向きを読み出す読み出し部を含む制御部と、を備えたことを特徴とする不揮発性記憶装置。

IPC (5件)：

H01L 21/824 , H01L 27/105 , H01L 29/82 , H01L 43/08 , G11C 11/15

FI (5件)：

H01L27/10 447 , H01L29/82 Z , H01L43/08 U , G11C11/15 110 , G11C11/15 150

Fターム (41件)：

4M119AA07 , 4M119AA17 , 4M119BB01 , 4M119BB03 , 4M119CC05 , 4M119DD10 , 4M119DD17 , 4M119DD22 , 4M119DD24 , 4M119DD25 , 4M119DD45 , 4M119DD52 , 4M119EE23 , 4M119EE24 , 4M119EE27 , 4M119GG01 , 5F092AA15 , 5F092AB08 , 5F092AC08 , 5F092AC12 , 5F092AD03 , 5F092AD23 , 5F092AD25 , 5F092BB10 , 5F092BB22 , 5F092BB23 , 5F092BB31 , 5F092BB33 , 5F092BB34 , 5F092BB35 , 5F092BB36 , 5F092BB38 , 5F092BB42 , 5F092BB43 , 5F092BB53 , 5F092BB55 , 5F092BC12 , 5F092BC13 , 5F092BC47 , 5F092BE06 , 5F092FA09

引用特許：

審査官引用 (6件)

磁気記録素子及び磁気記録装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-182286 出願人：株式会社東芝
クラスター並びにこれを用いたスピンRAM及びスピントルク発振器
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-051209 出願人：株式会社東芝
磁気メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-350988 出願人：株式会社東芝

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