特許
J-GLOBAL ID：201303095928722294
半導体発光装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
ポレール特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-107845
公開番号（公開出願番号）：特開2013-235984
出願日： 2012年05月09日
公開日（公表日）： 2013年11月21日
要約：
【課題】光反射層の硫化を防止して高い光反射率とボンディングワイヤの良好な接合とが長期間維持される光反射/ワイヤボンディング部を具備する半導体発光装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係る半導体発光装置は、基材上に搭載された半導体発光素子がボンディングワイヤによって前記基材の金属部と接続されている半導体発光装置であって、前記金属部は、前記半導体発光素子が搭載される面側に光反射/ワイヤボンディング部が形成され、前記光反射/ワイヤボンディング部は、銀からなる第1下地層とチタンからなる第2下地層とアルミニウムからなり厚さが0.05μm以上2μm以下である光反射層とがその順に積層された構造を有し、かつ前記光反射/ワイヤボンディング部の等価硬さが45 Hv以下であり、前記光反射/ワイヤボンディング部における前記ボンディングワイヤのステッチ幅が前記ボンディングワイヤの径の3倍以下であることを特徴とする。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基材上に搭載された半導体発光素子がボンディングワイヤによって前記基材の金属部と接続されている半導体発光装置であって、
前記金属部は、前記半導体発光素子が搭載される面側に光反射/ワイヤボンディング部が形成され、
前記光反射/ワイヤボンディング部は、銀からなる第1下地層とチタンからなる第2下地層とアルミニウムからなり厚さが0.05μm以上2μm以下である光反射層とがその順に積層された構造を有し、かつ前記光反射/ワイヤボンディング部の等価硬さが45 Hv以下であり、
前記光反射/ワイヤボンディング部における前記ボンディングワイヤのステッチ幅が前記ボンディングワイヤの径の3倍以下であることを特徴とする半導体発光装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L33/00 440
, H01L33/00 432
5F142AA04
, 5F142AA32
, 5F142AA56
, 5F142AA64
, 5F142AA65
, 5F142AA74
, 5F142BA02
, 5F142BA24
, 5F142CA02
, 5F142CB01
, 5F142CC04
, 5F142CC26
, 5F142CE04
, 5F142CE08
, 5F142CE13
, 5F142CE18
, 5F142CG03
, 5F142FA21
, 5F142FA30
, 5F142FA34
