p型半導体材料、および光電変換装置の作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-080227
公開番号（公開出願番号）：特開2013-211397
出願日： 2012年03月30日
公開日（公表日）： 2013年10月10日
要約：

【課題】p型の導電型を有する酸化物半導体材料、および光電変換装置の作製方法を提供する。【解決手段】三酸化モリブデン(MoO3)と、還元剤とを混合し、該混合物を減圧下において加熱することにより、三酸化モリブデンの一部を還元し、さらに三酸化モリブデンおよび還元された酸化モリブデンを気化させ、二酸化モリブデンおよび三酸化モリブデンの中間組成を有する酸化モリブデン(MoOy(2 請求項（抜粋）：

三酸化モリブデン(MoO3)および還元剤の混合物を減圧下において加熱して前記三酸化モリブデンの一部を還元し、前記三酸化モリブデンおよび還元された酸化モリブデンを気化させて、二酸化モリブデンおよび三酸化モリブデンの中間組成を有する酸化モリブデン(MoOy(2 IPC (2件)：

H01L 21/365 , H01L 31/04

FI (2件)：

H01L21/365 , H01L31/04 L

Fターム (13件)：

5F045AA18 , 5F045AB40 , 5F045BB16 , 5F151AA02 , 5F151AA03 , 5F151CB20 , 5F151CB21 , 5F151CB22 , 5F151FA02 , 5F151FA06 , 5F151FA10 , 5F151GA04 , 5F151GA15

引用特許：

出願人引用 (11件)

基板上に形成された金属酸化物層とその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-310331 出願人：河東田隆
MoO2粉末の製造法、MoO2粉末から製造された製品、MoO2薄膜の付着およびこのような材料の使用方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2006-521084 出願人：ハーツェーシュタルクインコーポレイテッド
スパッタリング用高純度金属Mo焼結ターゲットの製造に原料粉末として用いるのに適した高純度金属Mo粗粒粉末
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-130803 出願人：日本新金属株式会社

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