特許

J-GLOBAL ID：201303095935800578

p型半導体材料、および光電変換装置の作製方法

発明者： 堅石 李甫 ,  浅見 良信 ,  山崎 舜平
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-080227
公開番号（公開出願番号）：特開2013-211397
出願日： 2012年03月30日
公開日（公表日）： 2013年10月10日
要約：

【課題】p型の導電型を有する酸化物半導体材料、および光電変換装置の作製方法を提供する。【解決手段】三酸化モリブデン(MoO3)と、還元剤とを混合し、該混合物を減圧下において加熱することにより、三酸化モリブデンの一部を還元し、さらに三酸化モリブデンおよび還元された酸化モリブデンを気化させ、二酸化モリブデンおよび三酸化モリブデンの中間組成を有する酸化モリブデン(MoOy(2<y<3))が含有された酸化モリブデン膜を形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

三酸化モリブデン(MoO3)および還元剤の混合物を減圧下において加熱して前記三酸化モリブデンの一部を還元し、 前記三酸化モリブデンおよび還元された酸化モリブデンを気化させて、 二酸化モリブデンおよび三酸化モリブデンの中間組成を有する酸化モリブデン(MoOy(2<y<3))が含有された酸化モリブデンを基板上に形成することを特徴とするp型半導体材料の作製方法。

IPC (2件)：

H01L 21/365 ,  H01L 31/04

FI (2件)：

H01L21/365 ,  H01L31/04 L

Fターム (13件)：

5F045AA18 ,  5F045AB40 ,  5F045BB16 ,  5F151AA02 ,  5F151AA03 ,  5F151CB20 ,  5F151CB21 ,  5F151CB22 ,  5F151FA02 ,  5F151FA06 ,  5F151FA10 ,  5F151GA04 ,  5F151GA15