電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人太陽国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-227011
公開番号（公開出願番号）：特開2013-225095
出願日： 2012年10月12日
公開日（公表日）： 2013年10月31日
要約：

【課題】画像流れを抑制し、且つ残留電位の上昇を抑えた電子写真感光体を提供すること。【解決手段】導電性基体4と、導電性基体4上に設けられた下引層1と、下引層1上に設けられた電荷発生層2でと、電荷発生層2上に設けられた電荷輸送層3と、電荷輸送層3上に設けられた保護層5であって体積抵抗率が2×1013Ω・m以上4×1013Ω・m以下である保護層5と、を有し、式(1):0.4eV≦(Efuc- Eauc)-(Efcg-Eacg)≦0.6eVを満たす電子写真感光体10である。但し、式(1)中、Efucは下引層の仕事関数を示す。Eaucは下引層の電子親和力を示す。Efcgは電荷発生層の仕事関数を示す。Eacgは電荷発生層の電子親和力を示す。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

導電性基体と、前記導電性基体上に設けられた下引層と、前記下引層上に設けられた電荷発生層と、前記電荷発生層上に設けられた電荷輸送層と、前記電荷輸送層上に設けられた保護層であって、体積抵抗率が2×1013Ω・m以上4×1013Ω・m以下である保護層と、を有し、前記下引層と前記電荷発生層の仕事関数および電子親和力が下記式(1)を満たす電子写真感光体。式(1)0.4eV≦(Efuc-Eauc)-(Efcg-Eacg)≦0.6eV (式(1)中、Efucは下引層の仕事関数を示す。Eaucは下引層の電子親和力を示す。Efcgは電荷発生層の仕事関数を示す。Eacgは電荷発生層の電子親和力を示す。)

IPC (3件)：

G03G 5/14 , G03G 5/047 , G03G 5/147

FI (7件)：

G03G5/14 101 , G03G5/047 , G03G5/147 , G03G5/147 502 , G03G5/147 504 , G03G5/14 101E , G03G5/14 101F

Fターム (16件)：

2H068AA03 , 2H068AA04 , 2H068AA08 , 2H068AA28 , 2H068AA34 , 2H068AA37 , 2H068AA44 , 2H068AA48 , 2H068BA63 , 2H068BB36 , 2H068BB49 , 2H068BB57 , 2H068CA22 , 2H068FA16 , 2H068FA19 , 2H068FA27

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