特許
J-GLOBAL ID：201303097918184980
結晶シリコン太陽電池の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-256752
公開番号（公開出願番号）：特開2013-115057
出願日： 2011年11月24日
公開日（公表日）： 2013年06月10日
要約：
【課題】 本発明の課題は、変換効率が高く光入射面が精密に加工された結晶シリコン太陽電池の製造方法を提供することである。【解決手段】 本発明の結晶シリコン太陽電池の製造方法は、n型結晶シリコン基板から結晶シリコン太陽電池を製造する方法であって、順に、太陽と対向する光入射面となる一方の面が露出するように結晶シリコン基板を基板ステージにセットする光入射面配置工程、前記一方の面上に順に、第一の実質的に真性なシリコン系薄膜層、p型シリコン系薄膜層、及び第一の透明導電層を積層する光入射面積層工程、前記結晶シリコン基板の外周部側面から3mm以内の位置に前記一方の面からレーザー光を照射して前記外周部の全周に亘って折り割り線を形成する折り割り線形成工程、及び前記折り割り線に沿って前記外周部側面を折り割り除去する工程を含む。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
n型結晶シリコン基板から結晶シリコン太陽電池を製造する方法であって、順に、
該結晶シリコン太陽電池の太陽と対向する光入射面となる一方の面が露出するように、該結晶シリコン基板を基板ステージにセットする光入射面配置工程、
該一方の面上に順に、第一の実質的に真性なシリコン系薄膜層、p型シリコン系薄膜層、及び第一の透明導電層を積層する光入射面積層工程、
該結晶シリコン基板の外周部側面から3mm以内の位置に、該一方の面からレーザー光を照射して、該外周部の全周に亘って折り割り線を形成する折り割り線形成工程、及び
該折り割り線に沿って該外周部側面を折り割り除去する工程を含むことを特徴とする結晶シリコン太陽電池の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (12件)：
5F151AA02
, 5F151AA03
, 5F151CA03
, 5F151CA15
, 5F151CB20
, 5F151DA03
, 5F151FA04
, 5F151FA06
, 5F151FA18
, 5F151FA23
, 5F151GA04
, 5F151GA15
