特許

J-GLOBAL ID：201303098128353940

GaN系LED素子

発明者： 平岡 晋 ,  城市 隆秀
出願人/特許権者： 三菱化学株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-228937
公開番号（公開出願番号）：特開2013-048199
出願日： 2011年10月18日
公開日（公表日）： 2013年03月07日
要約：

【課題】n側メタル電極の延伸部を通してn型導電層に流れる電流を増加させたGaN系LED素子を提供する。【解決手段】GaN系LED素子100は、複数のGaN系半導体層を含む半導体積層体120を有し、該複数のGaN系半導体には、上面および底面を有するp型導電層123と、p型導電層123の底面側に配置された活性層122と、p型導電層123とで活性層122を挟むように配置されたn型導電層121とが含まれ、p型導電層123の上面にはp側電極が設けられ、p型導電層123側に一部露出したn型導電層121の表面にはn側電極が設けられる。該n側電極は、接続部および該接続部から延びる延伸部を有し、該n側電極の該接続部とn型導電層121との間に形成されるオーミック接触界面の面積が、該接続部の面積よりも小さい。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

複数のGaN系半導体層を含む半導体積層体を有し、該複数のGaN系半導体には、上面および底面を有するp型導電層と、該p型導電層の底面側に配置された活性層と、該p型導電層とで該活性層を挟むように配置されたn型導電層とが含まれ、該p型導電層の上面にはp側電極が設けられ、該p型導電層側に一部露出した該n型導電層の表面にはn側電極が設けられた、GaN系LED素子であって;該n側電極は、接続部および該接続部から延びる延伸部を有し、該n側電極の該接続部と該n型導電層との間に形成されるオーミック接触界面の面積が、該接続部の面積よりも小さくされた、GaN系LED素子。

IPC (2件)：

H01L 33/36 ,  H01L 33/32

FI (2件)：

H01L33/00 200 ,  H01L33/00 186

Fターム (30件)：

5F041AA21 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F041CA67 ,  5F041CA74 ,  5F041CA83 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041CA93 ,  5F041CB04 ,  5F041CB11 ,  5F141AA21 ,  5F141CA34 ,  5F141CA40 ,  5F141CA49 ,  5F141CA57 ,  5F141CA65 ,  5F141CA66 ,  5F141CA67 ,  5F141CA74 ,  5F141CA83 ,  5F141CA88 ,  5F141CA92 ,  5F141CA93 ,  5F141CB04 ,  5F141CB11