特許

J-GLOBAL ID：201303098467922767

半導体素子及びその製造方法

発明者： 安 正 烈 ,  李 閏 敬
出願人/特許権者： エスケーハイニックス株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人中川国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-270395
公開番号（公開出願番号）：特開2013-125967
出願日： 2012年12月11日
公開日（公表日）： 2013年06月24日
要約：

【課題】露光装備の解像度よりさらに細密な幅を持つパターンを形成すると同時に、パターンらをさらに細密な間隔で形成することができる半導体素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板に形成された第1深みの複数の第1トレンチと、複数の第1トレンチの間の半導体基板に第1深みと異なる第2深みの複数の第2トレンチと、複数の第1トレンチ及び複数の第2トレンチ上にそれぞれ形成され、上部が半導体基板より高く突出された突出部を持つ複数の素子分離膜と、複数の素子分離膜の間の半導体基板上に形成される複数のメモリセルと、を含む。【選択図】図1J

請求項（抜粋）：

半導体基板に形成された第1深みの複数の第1トレンチと、 前記複数の第1トレンチの間の前記半導体基板に前記第1深みと異なる第2深みの複数の第2トレンチと、 前記複数の第1トレンチ及び前記複数の第2トレンチ上にそれぞれ形成され、上部が前記半導体基板より高く突出された突出部を持つ複数の素子分離膜と、 前記複数の素子分離膜の間の前記半導体基板上に形成される複数のメモリセルと、 を含むことを特徴とする半導体素子。

IPC (6件)：

H01L 21/76 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/115 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3件)：

H01L21/76 L ,  H01L27/10 434 ,  H01L29/78 371

Fターム (35件)：

5F032AA34 ,  5F032AA45 ,  5F032AA77 ,  5F032BA03 ,  5F032CA17 ,  5F032DA22 ,  5F032DA30 ,  5F032DA33 ,  5F032DA53 ,  5F083EP02 ,  5F083EP17 ,  5F083EP23 ,  5F083EP33 ,  5F083EP34 ,  5F083EP43 ,  5F083EP55 ,  5F083GA09 ,  5F083JA03 ,  5F083JA04 ,  5F083JA35 ,  5F083NA01 ,  5F083PR10 ,  5F083PR29 ,  5F083PR40 ,  5F101BA29 ,  5F101BA36 ,  5F101BA45 ,  5F101BA47 ,  5F101BB05 ,  5F101BB08 ,  5F101BD02 ,  5F101BD22 ,  5F101BD35 ,  5F101BE07 ,  5F101BH19