特許

J-GLOBAL ID：201303099072463620

マイクロ波プラズマ処理装置

発明者： 王 宏興 ,  石垣 哲孝 ,  大川 敏樹 ,  野村 直嗣 ,  鈴木 進
出願人/特許権者： コーンズテクノロジー株式会社
代理人 (1件)： 岡田 和秀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-270301
公開番号（公開出願番号）：特開2013-122067
出願日： 2011年12月09日
公開日（公表日）： 2013年06月20日
要約：

【課題】ステージの冷却効果を高め、基板上に良好な品質で成膜できるマイクロ波プラズマ処理装置を提供すること。【解決手段】プラズマ7を生成するプラズマチャンバ3を有し、このプラズマチャンバ3内には基板ホルダ5を載置するためのステージ4が配置される。基板ホルダ5には薄膜が形成されるべき基板6がセットされる。ステージ4と基板ホルダ5との接触部には真空引き用スペース22が確保される。ステージ4には、真空引き用スペース22に連通する真空引き通路12cと、ステージ4を冷却するための冷却液通路23bが設けられる。冷却液通路23bの下流側端部には、オーバーフローによって冷却液流出を行わせる堰止め用連絡通路26が設けられる。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

マイクロ波プラズマ処理のためのプラズマチャンバと、 前記プラズマチャンバ内に配置された、基板ホルダ載置用のステージと、 前記ステージに前記基板ホルダが載置された状態で前記ステージと前記基板ホルダとの接触部に確保される真空引き用スペースと、 前記真空引き用スペースに連通する状態で前記ステージに設けられた真空引き通路と、 前記ステージの内部にこのステージの冷却のために形成された冷却液通路と、 を備えたマイクロ波プラズマ処理装置。

IPC (3件)：

C23C 16/511 ,  H01L 21/683 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

C23C16/511 ,  H01L21/68 N ,  H01L21/205

Fターム (37件)：

4K030AA10 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA28 ,  4K030BB02 ,  4K030CA01 ,  4K030FA01 ,  4K030GA02 ,  4K030KA26 ,  5F031CA02 ,  5F031CA05 ,  5F031HA38 ,  5F031MA28 ,  5F031NA05 ,  5F031PA11 ,  5F045AA09 ,  5F045AB07 ,  5F045AC07 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045AE25 ,  5F045AF02 ,  5F045BB08 ,  5F045BB12 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EC01 ,  5F045EC05 ,  5F045EF05 ,  5F045EH03 ,  5F045EJ03 ,  5F045EJ09