磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドアセンブリ、磁気記録再生装置及び磁気メモリ

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：日向寺雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-061104
公開番号（公開出願番号）：特開2013-197205
出願日： 2012年03月16日
公開日（公表日）： 2013年09月30日
要約：

【課題】MR変化率が大きい磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドアセンブリ、磁気記録再生装置及び磁気メモリを提供する。【解決手段】実施形態によれば、第1電極と、第2電極と、第1磁性層と、第2磁性層と、非磁性層と、酸化物層と、を含む磁気抵抗効果素子が提供される。第1磁性層は、第1電極と第2電極との間に設けられる。第2磁性層は、第1磁性層と第2電極との間に設けられる。非磁性層は、第1磁性層と第2磁性層との間に設けられる。酸化物層は、第1電極と第2電極との間に設けられる。酸化物層は、金属酸化物の酸化物層である。酸化物層は、鉄を含むウスタイト構造の(111)面配向のウスタイト結晶粒を含む。ウスタイト結晶粒の(111)面の面間隔は、0.253nm以上0.275nm以下である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1電極と、第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に設けられた第1磁性層と、前記第1磁性層と前記第2電極との間に設けられた第2磁性層と、前記第1磁性層と前記第2磁性層との間に設けられた非磁性層と、前記第1電極と前記第2電極との間に設けられた、金属酸化物の酸化物層であって、前記酸化物層は、鉄を含むウスタイト構造の(111)面配向のウスタイト結晶粒を含み、前記ウスタイト結晶粒の(111)面の面間隔が0.253ナノメートル以上0.275ナノメートル以下である酸化物層と、を備えた磁気抵抗効果素子。

IPC (5件)：

H01L 43/10 , H01L 43/08 , H01L 21/824 , H01L 27/105 , G11B 5/39

FI (4件)：

H01L43/10 , H01L43/08 Z , H01L27/10 447 , G11B5/39

Fターム (62件)：

4M119AA17 , 4M119BB01 , 4M119BB03 , 4M119DD04 , 4M119DD05 , 4M119DD06 , 4M119DD07 , 4M119DD08 , 4M119DD09 , 4M119DD10 , 4M119DD33 , 4M119DD42 , 4M119DD45 , 4M119EE03 , 4M119EE22 , 4M119EE29 , 4M119FF05 , 4M119FF06 , 4M119FF15 , 4M119FF17 , 4M119JJ02 , 5D034BA05 , 5D034BA15 , 5D034CA08 , 5F092AA02 , 5F092AB03 , 5F092AB07 , 5F092AB08 , 5F092AC08 , 5F092AC12 , 5F092AD03 , 5F092AD12 , 5F092BB09 , 5F092BB10 , 5F092BB15 , 5F092BB17 , 5F092BB22 , 5F092BB23 , 5F092BB24 , 5F092BB31 , 5F092BB34 , 5F092BB35 , 5F092BB36 , 5F092BB42 , 5F092BB43 , 5F092BB44 , 5F092BB53 , 5F092BC03 , 5F092BC04 , 5F092BC07 , 5F092BC08 , 5F092BC13 , 5F092BC18 , 5F092BC22 , 5F092BC47 , 5F092BE03 , 5F092BE06 , 5F092BE13 , 5F092BE14 , 5F092BE21 , 5F092BE27 , 5F092CA13

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