特許

J-GLOBAL ID：201303099328738770

光電変換素子及びその製造方法

発明者： 酒井 武信 ,  保坂 純男 ,  尹 友 ,  田村 拓郎
出願人/特許権者： トヨタ自動車株式会社 ,  国立大学法人群馬大学
代理人 (2件)： 山本 典輝 ,  岸本 達人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-184581
公開番号（公開出願番号）：特開2013-046007
出願日： 2011年08月26日
公開日（公表日）： 2013年03月04日
要約：

【課題】3次元的に規則的に配置された量子ドット列を有する光電変換素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】積層された複数のトンネル接合型半導体層を有する積層体を作製する積層体作製工程と、該積層体作製工程後に、積層体の上面側に量子ドット用の複数の凸部を有する凹凸パターンを形成するパターン形成工程と、該パターン形成工程で形成した凹部を削って複数の半導体層を貫通する溝を形成する溝形成工程と、を経て形成された3次元量子ドット列を有する、光電変換素子の製造方法とし、該製造方法で製造された光電変換素子とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

積層された複数のトンネル接合型半導体層を有する積層体を作製する積層体作製工程と、 前記積層体作製工程後に、前記積層体の上面側に量子ドット用の複数の凸部を有する凹凸パターンを形成するパターン形成工程と、 前記パターン形成工程で形成した凹部を削って前記複数の半導体層を貫通する溝を形成する溝形成工程と、を経て形成された3次元量子ドット列を有することを特徴とする、光電変換素子の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 31/04 ,  H01L 31/10 ,  B82Y 20/00 ,  B82Y 40/00 ,  B82Y 30/00

FI (5件)：

H01L31/04 A ,  H01L31/10 A ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

Fターム (25件)：

5F049MA02 ,  5F049MA04 ,  5F049NA01 ,  5F049PA03 ,  5F049PA12 ,  5F049PA14 ,  5F049PA20 ,  5F049QA16 ,  5F049SE04 ,  5F049SE05 ,  5F049SS03 ,  5F151CB11 ,  5F151CB22 ,  5F151CB24 ,  5F151CB30 ,  5F151DA03 ,  5F151DA04 ,  5F151DA13 ,  5F151DA20 ,  5F151FA04 ,  5F151FA06 ,  5F151FA13 ,  5F151FA15 ,  5F151GA03 ,  5F151GA04