特許
J-GLOBAL ID:201303099666951179

GaNLED用高速熱アニール

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 北原 宏修 ,  多田 裕司 ,  山内 聡
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-179993
公開番号(公開出願番号):特開2013-048236
出願日: 2012年08月15日
公開日(公表日): 2013年03月07日
要約:
【課題】出力の増大、起動電圧の低下、直列抵抗の低減を実現するGaN発光ダイオードの製造方法を提供する。【解決手段】活性層60を挟むn型GaN層40とp型GaN層50とを有するGaN多層構造30を形成する工程を備える。また、レーザーあるいはフラッシュランプを用いてp型GaN層50への10秒あるいはそれよりも短い時間の高速熱アニールを実行する工程を備える。さらに、GaN多層構造30上に透明導電層70を形成する工程と、透明導電層70にp型コンタクト90pを追加するとともにn型GaN層40にn型コンタクト90nを追加する工程とを備える。【選択図】図1
請求項(抜粋):
活性層を挟むn型GaN層とp型GaN層とを有するGaN多層構造を基板上に形成する工程と、 前記p型GaN層に対して、約10秒あるいはそれよりも短い時間で高速熱アニールを実行する工程と、 前記GaN多層構造上に透明導電層を形成する工程と、 前記透明導電層にp型コンタクトを追加すると共に前記n型GaN層にn型コンタクトを追加する工程と を備える、GaN発光ダイオード(LED)の形成方法。
IPC (3件):
H01L 33/36 ,  H01L 33/32 ,  H01L 21/265
FI (4件):
H01L33/00 200 ,  H01L33/00 186 ,  H01L21/265 602B ,  H01L21/265 602C
Fターム (11件):
5F141AA22 ,  5F141CA04 ,  5F141CA05 ,  5F141CA12 ,  5F141CA40 ,  5F141CA49 ,  5F141CA57 ,  5F141CA73 ,  5F141CA88 ,  5F141CA92 ,  5F141CA98
引用特許:
審査官引用 (2件)

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