特許
J-GLOBAL ID:201303099815448000
非対称ジベンゾジチエノチオフェン化合物
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
特許業務法人YKI国際特許事務所
, 大賀 眞司
, 百本 宏之
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-218992
公開番号(公開出願番号):特開2013-087118
出願日: 2012年10月01日
公開日(公表日): 2013年05月13日
要約:
【課題】高い移動度と、優れた安定性を示す電子機器(例えば、薄膜トランジスタ)のための半導体層に使用できる半導体化合物および該化合物を使用した電子機器の提供。【解決手段】下記一般式(I)で表される非対称半導体化合物。(式中、R1およびR2は、それぞれ独立してアルキル、置換アルキル、アルケニル等で、pおよびqは、独立して0または1である。)【選択図】なし
請求項(抜粋):
式(I)の構造を有し、
IPC (5件):
C07D 495/14
, H01L 29/786
, H01L 51/05
, H01L 51/30
, H01L 51/40
FI (5件):
C07D495/14 A
, H01L29/78 618B
, H01L29/28 100A
, H01L29/28 250H
, H01L29/28 310J
Fターム (46件):
4C071AA01
, 4C071AA07
, 4C071BB02
, 4C071BB06
, 4C071BB08
, 4C071CC23
, 4C071EE13
, 4C071FF23
, 4C071GG01
, 4C071LL10
, 5F110AA01
, 5F110AA05
, 5F110BB01
, 5F110CC03
, 5F110CC05
, 5F110CC07
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110DD05
, 5F110EE01
, 5F110EE02
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE07
, 5F110EE08
, 5F110EE42
, 5F110EE43
, 5F110EE44
, 5F110EE45
, 5F110FF01
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110FF05
, 5F110GG05
, 5F110GG06
, 5F110GG16
, 5F110GG25
, 5F110GG28
, 5F110GG29
, 5F110GG42
, 5F110HK01
, 5F110HK02
, 5F110HK03
, 5F110HK04
, 5F110HK07
, 5F110QQ06
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