研究者
J-GLOBAL ID:201401086926518984   更新日: 2024年01月30日

西 正之

Nishi Masayuki
所属機関・部署:
職名: 准教授
研究分野 (2件): 無機物質、無機材料化学 ,  ナノ材料科学
研究キーワード (5件): 蛍光体 ,  ガラス、結晶化ガラス ,  集束イオンビーム ,  ナノラマン分光 ,  金属ナノ粒子
競争的資金等の研究課題 (5件):
  • 2016 - 2019 金属イオン水溶液/シリコン界面での無電解金属ナノ構造成長機構の解明
  • 2016 - 2019 超均質ガラス作製に向けてのガラス融液のソレー効果解明
  • 2013 - 2016 空間選択的アクティブ表面形成と印刷エレクトロニクスの融合による機能性ナノ構造形成
  • 2007 - 2009 白色光源用希土類含有透光性セラミックスの創製と光物性評価システムの確立
  • 2006 - 2007 自己組織化膜の3次元集積化による機能性ナノ構造体の創製
論文 (69件):
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MISC (4件):
  • 西 正之. 研究テーマとの出会い. 材料. 2017. 66. 8. 627-627
  • 西 正之. 半導体-溶液界面での電子移動を利用した局所的金属ナノ構造成長. 化学と工業. 2014. 67. 11. 988
  • 西 正之. リーハイ大学滞在記 ~初めての留学~. NEW GLASS. 2009. 24. 4. 58-60
  • 西 正之. 小さな世界の建築家. NEW GLASS. 2007. 22. 21-24
講演・口頭発表等 (9件):
  • 私がFIBを使用した理由: シリコン表面での局所選択的な金ナノ構造成長とその体積評価
    (京都産学公共同研究拠点「知恵の輪」先端光加工プロジェクト京都レーザーテックオープンデイ「集束イオンビーム・走査電子顕微鏡加工観察装置セクション」 2019)
  • Focused-Ion-Beam-Enabled Electroless Metal Deposition on Silicon and Fabrication of Probes for Tip-Enhanced Raman Spectroscopy
    (CIMTEC2018, 14th International Ceramics Congress 2018)
  • シリコン-溶液直接界面形成が誘起する金属ナノ構造成長とその応用
    (次世代レーザープロセッシング技術研究組合公開セミナー 2016)
  • シリコン-溶液界面での電子移動を利用した局所選択的金属ナノ構造成長
    (日本セラミックス協会第28回秋季シンポジウム 2015)
  • 局所誘起アモルファスSi表面での選択的金属ナノ構造成長
    (第10回低温合成研究会 2013)
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学歴 (3件):
  • 2002 - 2005 京都大学 大学院工学研究科 材料化学専攻 博士後期課程
  • 2000 - 2002 京都大学 大学院工学研究科 材料化学専攻 修士課程
  • 1996 - 2000 京都大学 工学部 工業化学科
学位 (1件):
  • 博士(工学) (京都大学)
経歴 (8件):
  • 2020/04 - 現在 京都先端科学大学 工学部 機械電気システム工学科 准教授
  • 2019/04 - 2020/03 京都先端科学大学 ナガモリアクチュエータ研究所 准教授
  • 2016/04 - 2019/03 京都大学 大学院工学研究科材料化学専攻 講師
  • 2013/04 - 2016/03 京都大学 大学院工学研究科附属グローバル・リーダーシップ大学院工学教育推進センター (兼任 材料化学専攻) 講師
  • 2007/04 - 2013/03 京都大学 大学院工学研究科材料化学専攻 助教
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受賞 (5件):
  • 2016/09 - The Royal Society of Chemistry-Tokyo International Conference 2016 Best Poster Award
  • 2013/06 - 日本セラミックス協会 第67回 日本セラミックス協会進歩賞
  • 2011/06 - 日本セラミックス協会 2010 Journal of the Ceramic Society Japan 優秀論文賞
  • 2010/03 - 京都大学大学院工学研究科高等研究院融合ナノ基盤工学研究部門第2回成果報告会 奨励賞
  • 2009/11 - The 25th International Korea-Japan Seminar on Ceramics Young Ceramist Best Presentation Award
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