手賀直樹

Tega Naoki

論文 (2件)：

H. Miki, M. Yamaoka, N. Tega, Z. Ren, M. Kobayashi, C. P. D'Emic, Y. Zhu, D. J. Frank, M. A. Guillorn, D. G. Park, et al. Understanding short-term BTI behavior through comprehensive observation of gate-voltage dependence of RTN in highly scaled high-κ / metal-gate pFETs. Digest of Technical Papers - Symposium on VLSI Technology. 2011. 148-149
Hiroshi Miki, Naoki Tega, Zhibin Ren, Christopher P. D'Emic, Yu Zhu, David J. Frank, Michael A. Guillorn, Dae-Gyu Park, Wilfried Haensch, Kazuyoshi Torii. Hysteretic drain-current behavior due to random telegraph noise in scaled-down FETs with high-κ/metal-gate stacks. Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM. 2010. 28.1.4

MISC (4件)：

久本大, 手賀直樹, 谷和樹, 須藤建瑠, 毛利友紀. 3次元SiC-MOSFETにおける不純物層設計技術. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2019. 66th
手賀直樹, 久本大, 島明生, 嶋本泰洋. SiCトレンチ型DMOS(TED MOS)のチャネル特性に関する研究. 電子情報通信学会技術研究報告. 2016. 116. 296(SDM2016 79-89)
手賀直樹, 吉元広行, 久本大, 渡辺直樹, 清水悠佳, 佐藤慎太郎, 毛利友紀, 石垣隆士, 松村三江子, 小西くみこ, et al. オン抵抗とゲート電荷量を改善したSiCトレンチ型DMOS (TED MOS)の開発 (電子デバイス半導体電力変換合同研究会・パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術). 電気学会研究会資料. SPC = The papers of technical meeting on semiconductor power converter, IEE Japan. 2015. 2015. 169. 87-92
三木浩史, 手賀直樹, 山岡雅直, Frank D. J., Bansal A., 小林正治, Cheng K., D'Emic C. P., Ren Z., Wu S., et al. ランダムテレグラフノイズ(RTN)の統計的評価手法と微細MOSFETばらつきへの影響 (シリコン材料・デバイス・IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術)). 電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報. 2013. 112. 421. 31-34

受賞 (1件)：

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