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J-GLOBAL ID：201402200328217814   整理番号：14A0555915

低エネルギーイオン衝撃によるGaN(0001)の酸化

Oxidation of GaN(0001) by low-energy ion bombardment

著者 (5件)： GRODZICKI M. ,  MAZUR P. ,  ZUBER S. ,  BRONA J. ,  CISZEWSKI A.
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 304  ページ： 20-23  発行年： 2014年06月15日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸素衝撃を酸化法として使用し,GaN基板上に絶縁体を室温で作製した。清浄な基板表面及びGa₂O₃/GaN界面をX線光電子分光法(XPS),紫外光電子分光法(UPS),及び低速電子回折法(LEED)によりその場評価した。Ga2p内殻準位のXPSスペクトルはGa-O結合からGa-N結合への約1eVのピークシフトを示し,Ga₂O₃という酸化物の形成を明らかにした。清浄なGaN表面の電子親和力は3.65eVであり,GaN(0001)表面のGa₂O₃の電子親和力は3.7eVであった。XPS及びUPSを使用して測定したGa₂O₃/GaN界面の価電子バンドオフセット(VBO)は1.15eVであった。500°Cでシステムをアニールした後の電子親和力及びVBOはそれぞれ3.5eV及び0.35eVに減少した。Copyright 2014 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  基板 ,  100-1000eV ,  *酸素 ,  カチオン ,  *イオン衝突 ,  酸化 ,  *酸化ガリウム ,  *絶縁膜 ,  室温 ,  X線光電子スペクトル ,  紫外光電子スペクトル ,  低速電子回折 ,  *界面 ,  *電子親和力 ,  価電子バンド ,  *バンドオフセット ,  その場観察 ,  焼なまし

分類 (3件)： イオンとの相互作用  (BK16070Z) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  表面の電子構造  (BM02080J)

タイトルに関連する用語 (4件)： 低エネルギー ,  イオン衝撃 ,  GaN ,  酸化