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J-GLOBAL ID:201402201730467980   整理番号:14A0077843

発振波長が1319nmのグラフェン酸化物を含むダイオード型横励起方式のQスイッチレーザー

A 1319 nm diode-side-pumped Nd:YAG laser Q-switched with graphene oxide
著者 (11件):
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巻: 60  号: 15/16  ページ: 1287-1289  発行年: 2013年09月10日 
JST資料番号: D0250A  ISSN: 0950-0340  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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シリカの光ファイバーにおいて分散が小さく,水分子に対して優れた吸収を示す発振波長が1.3μmの受動的Qスイッチレーザーは,光通信やレーザー医学の分野において幅広く採用されている。これまで,Nd:YVO4やNd:YAGを基本とする幾つかのQスイッチ方式レーザーが作製され,それらの特性が報告されている。受動型Qスイッチ方式レーザーでは,可飽和吸収体が重要な要素である。特定のスペクトルバンドに限定される従来の可飽和吸収体とは異なり,グラフェンを基本とする可飽和吸収体はバンドギャップがゼロで,波長依存性が殆どない。本稿では,発振波長が1319nmのグラフェン酸化物を含むダイオード型横励起方式のQスイッチレーザーの製作とその特性を研究した結果を報告する。3本の棒状レーザーダイオード(LD)によって横励起される0.6原子%のNd3+を含むNd:YAGレーザーを作製した。Nd:YAGレーザーの受動的Qスイッチング動作を支援するために,出力ミラー近傍に縦型蒸着法で堆積したグラフェン酸化物から成る可飽和吸収体を挿入した。作製したQスイッチ方式レーザーの光学的しきい値は,156Wであった。このQスイッチ方式レーザーを232Wの光学的励起パワーで励起した場合,平均出力は820mW,パルス幅は2μs,そして繰り返し速度は35kHzであることが分かった。また,パルスエネルギーとピークパワーは,それぞれ23.4μJおよび11.7Wであった。実験結果から,グラフェン酸化物はQスイッチレーザのための効率的な可飽和吸収体であることが結論付けられた。
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固体レーザ 
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