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J-GLOBAL ID：201402201877708540   整理番号：13A1958700

レーザ短パルス加熱 シリコン膜内の温度場に及ぼす吸収係数の空間分布の影響

Laser Short-Pulse Heating: Influence of Spatial Distribution of Absorption Coefficient on Temperature Field in Silicon Film

著者 (2件)： MANSOOR S. B. (King Fahd Univ. Petroleum & Minerals, Dhahran, SAU) ,  YILBAS B. S. (King Fahd Univ. Petroleum & Minerals, Dhahran, SAU)
資料名： Journal of Laser Micro/Nanoengineering (Web)  (Journal of Laser Micro/Nanoengineering (Web))
巻： 7  号： 2  ページ： 176-188 (WEB ONLY)  発行年： 2012年05月 
JST資料番号： U0377A  ISSN： 1880-0688  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコン膜のレーザ短パルス加熱を考察し,吸収係数の空間分布が電子及び格子サイト温度に及ぼす効果を調べた。シリコン膜内の高吸収領域はこの領域における吸収粒子の存在に似ている。なぜならレーザ照射波長でのシリコンの吸収係数は著しく低いからである。電子運動論法を用いて電子及び格子温度を予測した。シミュレーションでは吸収係数の三つの異なる空間分布を考慮した。高吸収係数がシリコン膜の表面領域に存在する場合に,電子温度は最高値に達することが分かった。高吸収領域が膜内部に移動すると電子及び格子温度は低下した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  半導体薄膜 ,  *パルスレーザ ,  パルスレーザ照射 ,  *レーザ加熱 ,  *電子温度 ,  格子振動 ,  吸収係数 ,  計算機シミュレーション ,  *温度場 ,  アルミニウム ,  基板 ,  ナノ粒子
準シソーラス用語： *短パルスレーザ ,  *格子温度

分類 (2件)： レーザ照射・損傷  (BK16040S) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (17件)：

• G.L. Eesley, Observation of Nonequilibtium Electron Heating in Copper, Phys. Rev. Lett. 51 (1983) 2140-2143.
• S.D. Brorson, J.G. Fujimoto, and E.P. Ippen, Femtosecond Electronic Heat-Transport Dynamic in Thin Gold Films, Phys. Rev. Lett. 59 (1987)1962-1965.
• X.Y. Wang, D.M. Riffe, Y.S. Lee, and M.C. Downer, Time-resolved electron-temperature measurement in a highly excited gold target using femtosecond thermionic emission, Phys. Rev. B, 50 (1994) 8016-8019.
• G. Chen, C. L. Tien, Partial Coherence Theory of Thin Film Radiative Properties, Journal of Heat Transfer 114 (1992) 636-643.
• L. Malinowski, A relaxation model for heat conduction and generation, J. Phys. D: Appl. Phys. 26 (1993) 1176-1180.

タイトルに関連する用語 (6件)： レーザ ,  パルス加熱 ,  シリコン膜 ,  温度場 ,  吸収係数 ,  空間分布