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J-GLOBAL ID：201402202241947738   整理番号：14A0804287

半導体光増幅器の周波数雑音特性

Characteristic of the Frequency Noise in Semiconductor Optical Amplifier

著者 (4件)： 牧野嶋和貴 (金沢大) ,  高島隆義 (金沢大) ,  山田実 (金沢大) ,  桑村有司 (金沢大)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 114  号： 46(LQE2014 1-16)  ページ： 37-42  発行年： 2014年05月15日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 両端面に無反射コートが施されている半導体光増幅器(SOA)の線幅と周波数雑音の理論解析を行い測定結果との比較を行った。理論解析から,SOAによる光増幅で線幅および低周波帯の周波数雑音が変化しないことが明らかになった。一方,高周波帯の周波数雑音はSOAによって増加する。特にSOAへの入力光強度が小さいほど,周波数雑音の増加が顕著である。(著者抄録)

シソーラス用語： *半導体光増幅器 ,  *雑音 ,  周波数安定度 ,  幅 ,  半導体レーザ ,  光検出器
準シソーラス用語： *周波数雑音 ,  線幅

分類 (1件)： その他の光伝送素子  (BD06040S)

引用文献 (16件)：

• T. Mukai and Y. Yamamoto, "Noise in an AlGaAs semiconductor laser amplifier," IEEE J. Quantum Electron., vol.QE-18, pp.564-575, April 1982
• T. Saitoh and T. Mukai, "1.5μm GaInAsP traveling-wave semiconductor laser amplifier," IEEE J. Quantum Electron., vol.QE-23, pp.1010-1020, June 1987
• G. P. Agrawal, N. A. Olsson, "Self-modulation and spectrul broadening of optical pulses in semiconductor laser amplifier", IEEE J. Quantum Electron., vol.QE-25, pp.2297-2305, Nov. 1989
• E. Berglind and O. Nilsson, "Laser linewidth broadening caused by a laser amplifier," IEEE Photon. Technol. Lett., vol.3, pp.5, May 1991
• S. Balsamo, F.Sartori and Montrosset, "Dynamic beam propagation method for flared semiconductor power amplifier," IEEE J. Selected Topics in Quantum Electron., vol.2, pp.378-384, June 1996

タイトルに関連する用語 (2件)： 半導体光増幅器 ,  周波数雑音