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J-GLOBAL ID：201402202266170924   整理番号：14A0511836

内部電圧増幅ができる強誘電体負容量ヘテロトンネル電界効果トランジスタ

Ferroelectric Negative Capacitance Hetero-Tunnel Field-Effect-Transistors with Internal Voltage Amplification

著者 (7件)： LEE M.H. (National Taiwan Normal Univ., Taipei, TWN) ,  LIN J.-C. (National Taiwan Normal Univ., Taipei, TWN) ,  WEI Y.-T. (National Taiwan Normal Univ., Taipei, TWN) ,  CHEN C.-W. (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  TU W.-H. (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  ZHUANG H.-K. (National Taiwan Normal Univ., Taipei, TWN) ,  TANG M. (PTEK Technol. Co., Ltd, Hsinchu, TWN)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2013  ページ： 104-107  発行年： 2013年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 強誘電体負容量(NC)ヘテロトンネル電界効果トランジスタ(FET)において,サブ閾値スイングの勾配が~2倍になり,ピークg_mが118%に増加するという大幅な改善の実証に成功する。小さいV_DSにおけるピークg_mの増加は,横方向バイアスがない場合でのNCによる固有の利益を示す。強誘電体分極を結合するという概念を提案し,この概念は,急峻なサブ閾値勾配デバイスの将来の応用において性能に相乗的に貢献する。

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  *トンネル効果 ,  ヘテロ接合 ,  容量 ,  強誘電体 ,  素子構造 ,  半導体プロセス ,  透過型電子顕微鏡 ,  電流電圧特性 ,  相互コンダクタンス
準シソーラス用語： トンネル電界効果トランジスタ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 増幅 ,  強誘電体 ,  テロ ,  トンネル電界効果トランジスタ