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J-GLOBAL ID:201402202409220901   整理番号:14A0083868

高周波における高電圧印加に対するKTaxNb1-xO3結晶の電力消費の第一推定

First Estimation of Power Consumption of KTaxNb1-xO3 Crystal upon Application of High Voltage under High Frequency
著者 (4件):
資料名:
巻:号: 12  ページ: 122601.1-122601.3  発行年: 2013年12月25日 
JST資料番号: F0599C  ISSN: 1882-0778  CODEN: APEPC4  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
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DCから200kHzにおいて,高電圧を印加したときのKTaxNb1-xO3結晶の電力消費について報告した。適用チップサイズに対して,大きい走査角を得るために最適化した200kHz繰り返し率での電力消費は1.2Wである。周波数を増加させた場合に発生する熱のために誘電率が低下し,これによってビーム走査角が劣化する。周波数を増大させたとき,ビーム走査角は誘電率の減少に比例する。(翻訳著者抄録)
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分類 (2件):
分類
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電気光学効果,磁気光学効果  ,  光の屈折,反射,分散,偏向,吸収,透過 
タイトルに関連する用語 (5件):
タイトルに関連する用語
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