文献
J-GLOBAL ID:201402202450078267   整理番号:14A0763476

磁気-電気キャパシタのスピン-電荷多重注入機構

Spin-charge multi injection mechanism of a magneto-electric capacitor
著者 (4件):
資料名:
巻: 121  号: 1420  ページ: 1008-1011 (J-STAGE)  発行年: 2013年 
JST資料番号: U0409A  ISSN: 1348-6535  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
磁気-電気(ME)キャパシタの多重電荷注入機構を調べた。このキャパシタは,そのキャパシタンス-電圧(C-V)特性に関して多重段階電荷注入過程を示すが,その挙動はトンネル層厚みに依存して異なることを見出した。電流-電圧(I-V)特性の詳細な解析が,Fowler-Nordheim(FN)トンネル機構を示すサンプル中の多重段階挙動の存在を明らかにした。トンネル層の厚みの低下と共に,FNトンネル挙動は高電圧領域へシフトし,この点において多重段階挙動は不明瞭になった。これらの結果がトンネル層厚みはこの多重段階機構において重要な役割を演ずることを示している。(翻訳著者抄録)
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
固体デバイス一般 
引用文献 (12件):
  • 1) S. A. Wolf, D. D. Awschalom, R. A. Buhrman, J. M. Daughton, S. von Molnár, M. L. Roukes, A. Y. Chtchelkanova and D. M. Treger, Science, 294, 1488–1495 (2001).
  • 2) J. Wang, J. B. Neaton, H. Zheng, V. Nagarajan, S. B. Ogale, B. Liu, D. Viehland, V. Vaithyanathan, D. G. Schlom, U. V. Waghmare, N. A. Spaldin, K. M. Rabe, M. Wuttig and R. Ramesh, Science, 299, 1719–1722 (2003).
  • 3) S. Yuasa, T. Nagahama, A. Fukushima, Y. Suzuki and K. Ando, Nat. Mater., 3, 868–871 (2004).
  • 4) D. A. Allwood, G. Xiong, C. C. Faulkner, D. Atkinson, D. Petit and R. P. Cowburn, Science, 309, 1688–1692 (2005).
  • 5) H.-A. Engel and D. Loss, Science, 309, 586–588 (2005).
もっと見る

前のページに戻る