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J-GLOBAL ID：201402202523829088   整理番号：13A1951482

VおよびCrドープ半導体SnTeの磁性,半金属性および電気輸送の性質 理論

Magnetism, half-metallicity and electrical transport properties of V- and Cr-doped semiconductor SnTe: A theoretical study

著者 (3件)： LIU Y. (State Key laboratory of Metastable Materials Sci. & Technol. and Coll. of Sci., Yanshan Univ., Qinhuangdao, Hebei ...) ,  BOSE S. K. (Physics Dep., Brock Univ., St. Catharines, Ontario L2S 3A1, CANADA) ,  KUDRNOVSKY J. (Inst. of Physics, Acad. of the Sciences of the Czech Republic, Na Slovance 2, 182 21 Prague 8, CZE)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 114  号： 21  ページ： 213704-213704-8  発行年： 2013年12月07日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *スズ化合物 ,  *テルル化物 ,  *磁気的性質 ,  *半金属 ,  *エレクトロトランスポート ,  バナジウム ,  クロム ,  ドーピング ,  化合物半導体 ,  交換相互作用 ,  Curie温度 ,  電気抵抗率 ,  副格子 ,  格子定数
準シソーラス用語： *テルル化スズ ,  電気輸送

分類 (2件)： その他の無機化合物の磁性  (BM06060P) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (8件)： Cr ,  ドープ ,  SnTe ,  磁性 ,  半金属性 ,  電気輸送 ,  性質 ,  理論