文献

J-GLOBAL ID：201402202586781000   整理番号：14A1108287

レーザ誘起固相ドープグラフェン

Laser-Induced Solid-Phase Doped Graphene

著者 (8件)： CHOI Insung (Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol. (KAIST), Daejeon, KOR) ,  JEONG Hu Young (Ulsan National Inst. of Sci. and Technol. (UNIST), Ulsan, KOR) ,  JUNG Dae Yool (Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol. (KAIST), Daejeon, KOR) ,  BYUN Myunghwan (Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol. (KAIST), Daejeon, KOR) ,  CHOI Choon-Gi (Electronics and Telecommunications Res. Inst. (ETRI), Daejeon, KOR) ,  HONG Byung Hee (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  CHOI Sung-Yool (Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol. (KAIST), Daejeon, KOR) ,  LEE Keon Jae (Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol. (KAIST), Daejeon, KOR)
資料名： ACS Nano  (ACS Nano)
巻： 8  号： 8  ページ： 7671-7677  発行年： 2014年08月 
JST資料番号： W2326A  ISSN： 1936-0851  CODEN： ANCAC3  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： パルスレーザ照射で駆動されるドーパント源を含むシリコンカーバイド(SiC)基板を用いたドープグラフェンの固相合成を報告する。レーザ照射による固相ドープグラフェンの新しい合成は,複雑な転位プロセス無く絶縁基板上でドープグラフェンのその場の直接成長を提供する。XPS解析は,NドープグラフェンのC-N結合形成がピリジン性-N型である事を確認する。RamanスペクトルのGバンドシフトの系統的解析は,固相ドープがSiCドーパント濃度の単純変更で正確に制御出来る事を示す。シミュレーションによる温度履歴は,レーザ照射の短パルスによるSiC上の熱発生がNドープグラフェン合成に十分な高さを持つ事を示す。本研究は,優れた制御性を持つ固相ドープ方法を提供すると期待される。

シソーラス用語： *炭素材 ,  *パルスレーザ照射 ,  基板 ,  炭化ケイ素 ,  *ドーピング ,  成長 ,  *Ramanスペクトル ,  半導体 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： *固相ドーピング ,  その場成長

分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (2件)： レーザ誘起 ,  固相