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J-GLOBAL ID:201402202636925083   整理番号:14A0448428

電気的に制御されたテラヘルツ波変調器の開発

Development of an electrically controlled terahertz-wave modulator
著者 (4件):
資料名:
巻: 60  号: 20/21  ページ: 1690-1695  発行年: 2013年11月20日 
JST資料番号: D0250A  ISSN: 0950-0340  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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テラヘルツ(THz)波は,フォトンエネルギーが小さく,コヒーレンスで,殆どの物質における透過性が優れているので,テラヘルツ(THz)科学と技術は,過去20年に亘って,通信,医学,国家安全保障の分野で強い関心が持たれてきた。しかし,「THzギャップ」(0.1~10THz)の問題は依然として解決されていない。その理由は,この周波数域におけるTHz発生器,変調器,および検出器などの作製の難しさに起因する。最近,高性能のTHz波発生器および検出器が開発され,後は高速で動作する変調器の開発が待たれている。本稿では,電気的に駆動されるTHz波変調器を数値的に設計し,入射THz波の振幅変調を実験的に試みた結果を報告する。THz波変調器は,GaAsを基本とした高電子移動度トランジスター(HEMT)アレイ,スプリットリング共振器(SRR)アレイおよび金属電極によって構成されている。SRRアレイは,通常のフォトリソグラフィー技術と電子ビーム蒸着法によって作製した。時間変動するゲート電圧の印加によって,2次元電子ガス(2DEG)の密度が変化し,HEMTにおける伝導チャンネルの幅および厚さが変化する。また,2DEG密度の変化に伴って,SRRはTHz波の透過に関して異なる特性を示す。測定結果から,-3Vから0Vまでゲート電圧が変わると,0.58THz波の振幅が28%程度変調されることが分かった。
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分類 (1件):
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光変調器 
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