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J-GLOBAL ID：201402202681703679   整理番号：14A1098783

らせん状ポリイソシアニドを用いた抵抗変化型不揮発性メモリ

著者 (5件)： 櫻川康志 (北陸先端科学技術大学院大) ,  高木遊学 (金沢大) ,  井改知幸 (金沢大) ,  酒井平祐 (北陸先端科学技術大学院大) ,  村田英幸 (北陸先端科学技術大学院大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 75th  ページ： ROMBUNNO.18P-A3-8  発行年： 2014年09月01日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *不揮発性メモリ ,  RAM【メモリ】 ,  重合体 ,  ヘリックス構造 ,  オリゴマ ,  ポリチオフェン ,  スピンコーティング ,  電流電圧特性 ,  ヒステリシス ,  比率 ,  *高分子薄膜 ,  オリゴチオフェン ,  ポリイソシアニド ,  抵抗変化メモリ
準シソーラス用語： オンオフ比 ,  抵抗変化型メモリ ,  螺旋構造

分類 (2件)： 記憶装置  (JC04060F) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L)

タイトルに関連する用語 (4件)： らせん状 ,  ポリイソシアニド ,  抵抗変化 ,  不揮発性メモリ