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J-GLOBAL ID：201402203673970745   整理番号：14A0583488

InN膜の構造と自由荷電キャリアの性質に対するMgドーピングの効果

Effect of Mg doping on the structural and free-charge carrier properties of InN films

著者 (13件)： XIE M.-y. (Dep. of Physics, Chemistry, and Biology, IFM, Linkoeping Univ., SE-581 83 Linkoeping, SWE) ,  BEN SEDRINE N. (Dep. of Physics, Chemistry, and Biology, IFM, Linkoeping Univ., SE-581 83 Linkoeping, SWE) ,  SCHOECHE S. (Center for Nanohybrid Functional Materials, Dep. of Electrical Engineering, Univ. of Nebraska-Lincoln, Lincoln ...) ,  HOFMANN T. (Center for Nanohybrid Functional Materials, Dep. of Electrical Engineering, Univ. of Nebraska-Lincoln, Lincoln ...) ,  SCHUBERT M. (Center for Nanohybrid Functional Materials, Dep. of Electrical Engineering, Univ. of Nebraska-Lincoln, Lincoln ...) ,  HUNG L. (Dep. of Physics, Chemistry, and Biology, IFM, Linkoeping Univ., SE-581 83 Linkoeping, SWE) ,  MONEMAR B. (Dep. of Physics, Chemistry, and Biology, IFM, Linkoeping Univ., SE-581 83 Linkoeping, SWE) ,  WANG X. (State Key Lab. of Artificial Microstructure and Mesoscopic Physics, Peking Univ., Beijing, CHN) ,  YOSHIKAWA A. (Center for SMART Green Innovation Res., Chiba Univ., Chiba, JPN) ,  WANG K. (Dep. of Photonics, Ritsumeikan Univ., 1-1-1 Noji Higashi, Kusatsu, Shiga 525-8577, JPN) ,  ARAKI T. (Dep. of Photonics, Ritsumeikan Univ., 1-1-1 Noji Higashi, Kusatsu, Shiga 525-8577, JPN) ,  NANISHI Y. (Dep. of Photonics, Ritsumeikan Univ., 1-1-1 Noji Higashi, Kusatsu, Shiga 525-8577, JPN) ,  DARAKCHIEVA V. (Dep. of Physics, Chemistry, and Biology, IFM, Linkoeping Univ., SE-581 83 Linkoeping, SWE)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 115  号： 16  ページ： 163504-163504-10  発行年： 2014年04月28日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *窒化インジウム ,  *キャリア ,  *マグネシウム ,  効果 ,  半導体薄膜 ,  MBE成長 ,  赤外分光法 ,  X線回折 ,  原子間力顕微鏡 ,  格子定数 ,  電気伝導率 ,  化合物半導体 ,  *ドーピング ,  点欠陥 ,  キャリア密度 ,  欠陥密度 ,  反転
準シソーラス用語： ドーピング効果 ,  *自由キャリア ,  拡張欠陥 ,  極性反転

分類 (3件)： 半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： InN ,  荷電 ,  キャリア ,  性質 ,  Mg ,  ドーピング