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J-GLOBAL ID：201402203954536939   整理番号：14A0177969

ソフトポリマ処理されたゲート誘電体上の温度媒介有機半導性結晶の最適化

Optimization of Temperature-Mediated Organic Semiconducting Crystals on Soft Polymer-Treated Gate Dielectrics

著者 (3件)： JANG Mi (Inha Univ., Incheon, KOR) ,  BEAK Kyung Youl (Korea Inst. Sci. and Technol., Seoul, KOR) ,  YANG Hoichang (Inha Univ., Incheon, KOR)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 117  号： 48  ページ： 25290-25297  発行年： 2013年12月05日 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： N,N′-ジトリデシルペリレン-3,4,9,10-テトラカルボン酸ジイミド(PTCDI-C13)を半導体層とする有機電界効果トランジスタ(OFET)の性能向上を目的に,PTCDI-C13層とSiO₂層の間に物理吸着または化学吸着によりポリスチレン(PS)を入れることがOFETとしての性能に及ぼす効果を調べた。化学吸着には,ジメチルクロロシラン終端PSを用いた。PTCDI-C13は分子線蒸着した。蒸着後,さまざまなアニーリング温度で後処理した。SiO₂に化学的に結合した超薄膜PS(~5nm厚)上に蒸着されたPTCDI-C13の場合,200°C迄のアニーリング温度での後処理により高度層状結晶となることが可能であることを示す結果が得られた。高いOFET特性を示し,電界効果移動度:0.2cm²V^-1s^-1,閾電圧:~1.0V,オンーオフ電流比:>10⁶であった。

シソーラス用語： 酸化膜 ,  *有機半導体 ,  *芳香族縮合炭化水素 ,  ポリスチレン ,  *FET【トランジスタ】 ,  真空蒸着 ,  熱処理 ,  温度 ,  移動度 ,  電圧 ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： アニーリング温度 ,  ゲート絶縁体 ,  *有機電界効果トランジスタ ,  閾電圧 ,  *ペリレン誘導体

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  四環以上の炭素縮合多環化合物  (CF06090C)

物質索引 (2件)： ジメチルクロロシラン ,  N,N′-ジトリデシルペリレン-3,4,9,10-テトラカルボン酸ジイミド

タイトルに関連する用語 (6件)： ソフト ,  ポリマ ,  ゲート誘電体 ,  半導性 ,  結晶 ,  最適化