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J-GLOBAL ID：201402203989168762   整理番号：13A1951716

真空フラッシュ蒸着アクリル酸塩絶縁体上に形成した有機薄膜トランジスタの性能改善

Improving the performance of organic thin film transistors formed on a vacuum flash-evaporated acrylate insulator

著者 (7件)： DING Z. (Dep. of Materials, Univ. of Oxford, Oxford OX1 3PH, GBR) ,  ABBAS G. A. (Dep. of Materials, Univ. of Oxford, Oxford OX1 3PH, GBR) ,  ASSENDER H. E. (Dep. of Materials, Univ. of Oxford, Oxford OX1 3PH, GBR) ,  MORRISON J. J. (School of Chemistry, Univ. of Manchester, Manchester M13 9PL, GBR) ,  SANCHEZ-ROMAGUERA V. (School of Chemistry, Univ. of Manchester, Manchester M13 9PL, GBR) ,  YEATES S. G. (School of Chemistry, Univ. of Manchester, Manchester M13 9PL, GBR) ,  TAYLOR D. M. (School of Electronic Engineering, Bangor Univ., Bangor LL57 1UT, GBR)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 103  号： 23  ページ： 233301-233301-5  発行年： 2013年12月02日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  *バッファ層 ,  *カルボン酸エステル ,  *ビニル化合物 ,  *脂肪族カルボン酸 ,  *不飽和カルボン酸 ,  スピンコーティング ,  高分子薄膜 ,  結晶粒径 ,  電圧 ,  ポリアセン ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： *有機薄膜トランジスタ ,  ゲート絶縁体 ,  *アクリル酸塩 ,  結晶粒サイズ ,  閾値電圧

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

物質索引 (2件)： ペンタセン ,  DNTT

タイトルに関連する用語 (6件)： 真空 ,  フラッシュ蒸着 ,  アクリル酸塩 ,  絶縁体 ,  有機薄膜トランジスタ ,  性能改善