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J-GLOBAL ID：201402204117612631   整理番号：13A1725027

PZT圧電セラミックの強誘電特性に関するIn添加の研究

Study of In-doping on the ferroelectric properties of PZT piezoelectric ceramics

著者 (4件)： Zhu Bin (State Key Lab. of Electronic Thin Films and Integrated Devices, Univ. of Electronic Sci. and Technol. of China, Chengdu) ,  Wen Zhong (State Key Lab. of Electronic Thin Films and Integrated Devices, Univ. of Electronic Sci. and Technol. of China, Chengdu) ,  Gao Yang (State Key Lab. of Electronic Thin Films and Integrated Devices, Univ. of Electronic Sci. and Technol. of China, Chengdu) ,  Yang Tao (State Key Lab. of Electronic Thin Films and Integrated Devices, Univ. of Electronic Sci. and Technol. of China, Chengdu)
資料名： Gongneng Cailiao  (Gongneng Cailiao)
巻： 44  号： 5  ページ： 614-617  発行年： 2013年 
JST資料番号： C2095A  ISSN： 1001-9731  CODEN： GOCAEA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： In_2O_3を添加したPb(Zr_xTi_(1-x))O_3(PZT)ピエゾ電気セラミックを研究した。X線回折,走査型電子顕微鏡,LC2000強誘電体試験機を用いて,セラミックの位相,微細構造および強誘電特性の影響を研究した。結果より,In_2O_3の適切な量を添加したPZTセラミックの粒度は,添加量の増加に伴い,阻害かつ均質化され,相境界を有する成分は,擬三相において低下し正方晶において増加することがわかった。In_2O_3の量が0.1wt%のとき,PZTセラミックは,最も最適の強誘電特性を示し:P_r=23.43μC/cm2,E_c=9.783kV/cmであった。In_2O_3の量が0.3wt%のとき,PZTセラミックは,最も最適の圧電特性を示し:tanδ=0.023,d_(33)=540pC/N,ε_r=1513,K_p=0.764,Q_m=1819であった。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： ジルコニウム酸チタン酸鉛 ,  *圧電材料 ,  *機能性セラミック ,  *強誘電性 ,  インジウム ,  位相 ,  微細構造 ,  正方晶系 ,  *圧電セラミック
準シソーラス用語： PZT【鉛化合物】 ,  *強誘電特性 ,  In ,  正方晶

分類 (1件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (4件)： PZT ,  圧電セラミック ,  強誘電特性 ,  研究