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J-GLOBAL ID：201402204509007272   整理番号：14A1320851

励起反応場を用いた多次元ナノ材料創成 keV級イオン励起反応場でのナノ・マイクロ材料創成

著者 (1件)： 田中俊一郎 (東北大 多元物質科研)
資料名： まてりあ  (Materia Japan)
巻： 53  号： 11  ページ： 516-519  発行年： 2014年11月01日 
JST資料番号： F0163A  ISSN： 1340-2625  CODEN： MTERE2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： keV級イオン照射励起反応場での構造体創成に関して最近の研究をまとめた。イオンと物質の相互作用は加速エネルギーで決まる。1~10eVでは付着,keV級ではスパッタリング,MeV級ではイオン注入,照射損傷の現象が固体表面で起こる。Penning型イオン源からのArイオン束をCu表面に照射することにより円錐状突起体を形成してきた。加速電圧5~9kVで得られる直径3mm程度のArイオン束で透過型電子顕微鏡試料を得るためのイオンMilling装置を転用した。透過型電子顕微鏡用試料を保持する圧延積層したCuの壁面にArイオン照射を5kVで600s行ったところ純銅の突起体が生成した。Cuを酸化してからArイオン照射すると針状ウィスカーのCu₂Oが生成した。Arイオン照射の励起反応場で成長する構造体はArイオン照射条件で突起体形状,高さ,直径,数密度などを自由に制御でき,成長方向がArイオン源である。他の金属へのArイオン照射結果に対して核形成,成長支配因子,雰囲気との反応,イオン源への配向に関する結論を得た。

シソーラス用語： 材料 ,  *反応場 ,  励起 ,  *イオン照射 ,  アルゴン ,  高次元 ,  隆起 ,  *銅 ,  酸化第一銅 ,  機構 ,  スパッタリング ,  放射線束 ,  圧延 ,  層 ,  純金属 ,  ホイスカ ,  数密度 ,  形態 ,  核形成 ,  イオン注入 ,  照射損傷 ,  成長因子 ,  イオンエッチング ,  相互作用 ,  電圧 ,  ナノ材料
準シソーラス用語： アルゴンイオン ,  イオン束 ,  加速電圧 ,  純銅 ,  成長機構 ,  積層

分類 (1件)： 金属の放射線による構造と物性の変化  (BK16122N)

引用文献 (15件)：

• (1) 田中俊一郎:金属,83(2014), 853-858.
• (2) A. Guntherschulze and W. Tollmien: Z. Phys., 119(1942), 685-695.
• (3) A. D. G.. Stewart and M. W. Thompson: J. Mater. Sci., 4(1969), 56.
• (4) G. K. Wehner: Appl. Phys. Lett., 43(1983), 366-367.
• (5) S. Morishita, Y. Fujimoto and F. Okuyama: J. Vac. Sci. Technol., A6(1988), 217-222.

タイトルに関連する用語 (5件)： 励起反応 ,  多次元 ,  ナノ材料 ,  創成 ,  イオン