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J-GLOBAL ID：201402204586060488   整理番号：14A0118626

4H-SiC n-IGBTのデバイス設計評価-シミュレーションによる研究

Device design assessment of 4H-SiC n-IGBT - A simulation study

著者 (2件)： USMAN Muhammad (Quaid-i-Azam Univ., Islamabad, PAK) ,  NAWAZ Muhammad (ABB Corporate Res., Vaestera, SWE)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 92  ページ： 5-11  発行年： 2014年 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  六方晶系 ,  *IGBT ,  計算機シミュレーション ,  *CAD【計算機】 ,  モデリング ,  キャリア寿命 ,  キャリア捕獲 ,  界面 ,  界面トラップ ,  計算機利用 ,  利用
準シソーラス用語： *4H-SiC ,  *TCAD ,  デバイスシミュレーション

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  集積回路一般  (NC03161C)

タイトルに関連する用語 (6件)： 4H-SiC ,  IGBT ,  デバイス設計 ,  評価 ,  シミュレーション ,  研究