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J-GLOBAL ID：201402204913305163   整理番号：13A1467359

多層沈着とポストアニーリングMgB_2薄膜におけるジョセフソン接合製作

Josephson junctions fabrication in multi-layer deposition and post annealing MgB_2 thin films

著者 (12件)： Deng Hui (Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing) ,  Dai Qian (State Key Lab. for Artificial Microstructure and Mesoscopic Physics, School of Physics, Peking Univ., Beijing) ,  Yu HaiFeng (Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing) ,  Wei YanFeng (Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing) ,  Wang FuRen (State Key Lab. for Artificial Microstructure and Mesoscopic Physics, School of Physics, Peking Univ., Beijing) ,  Ren JianKun (Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing) ,  Cui LiMin (Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing) ,  Wu YuLin (Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing) ,  Zhao ShiPing (Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing) ,  Chen YingFei (Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing) ,  Li Jie (Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing) ,  Zheng DongNing (Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing)
資料名： Kexue Tongbao  (Kexue Tongbao)
巻： 57  号： 7  ページ： 498-505  発行年： 2012年 
JST資料番号： C2016A  ISSN： 0023-074X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： ジョセフソン接合を,MgB_2薄膜中で集束イオンビームによって作る。膜を最初に室温で多層Mg-Bフィルムの沈積によって調製し,次に約700°Cでアニールした。これらの膜は,32KのT_cを持つ。細片とSQUID環を,フォトリソグラフィーとArイオンビーム粉砕によって作成した。次に,幅150~300nmのナノブリッジを,集束イオンビームエッチングによって作成した。帯板のRT特性は未精製膜のそれと同じである一方SQUIDは臨界温度の近くに「足」を持つ。SQUIDのひとつのI-V曲線は,およそ10Kの下でヒステリシスである。ナノブリッジは抵抗分流接合様の特徴を示し,臨界電流の温度依存性はSINS弱リンクであることがわかった。9.8Kで,臨界電流密度は約1.5×107A/cm2である。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： 沈着 ,  焼なまし ,  薄膜 ,  *Josephson接合 ,  集束イオンビーム ,  臨界電流密度 ,  温度依存性 ,  臨界温度
準シソーラス用語： ポストアニーリング

分類 (1件)： Josephson接合・素子  (BM04043E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 多層 ,  沈着 ,  ポストアニーリング ,  薄膜 ,  ジョセフソン接合 ,  製作