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J-GLOBAL ID：201402205267981437   整理番号：14A0957292

Cr₂O₃薄膜の電気/磁気電気特性

Electric and Magneto-Electric Properties of Cr₂O₃ Thin Films

著者 (3件)： ICHIKAWA Koji (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Nagoya Inst. of Technol.) ,  YOKOTA Takeshi (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Nagoya Inst. of Technol.) ,  GOMI Manabu (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Nagoya Inst. of Technol.)
資料名： e-Journal of Surface Science and Nanotechnology (Web)  (e-Journal of Surface Science and Nanotechnology (Web))
巻： 12  ページ： 373-376 (J-STAGE)  発行年： 2014年 
JST資料番号： U0016A  ISSN： 1348-0391  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： in situ反射高エネルギー電子回折(RHEED)システムと共に無線周波数(RF)マグネトロンスパッタリング法により,Pt上でC軸エピタキシャルCr₂O₃薄膜を調製した。480°Cで堆積させたCr₂O₃の漏れ電流が最小で,その値は10^-6~10^-7A/cm²オーダで磁気ヒステリシスが認められた。この磁化はCr₂O₃/Pt界面で誘起されるが,これはPt基板からの圧縮応力に起因し,界面とCr₂O₃の相互作用により磁気電気(ME)効果を調節した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： RHEED ,  スパッタ蒸着 ,  マグネトロンスパッタリング ,  基板 ,  白金 ,  エピタクシー ,  *酸化クロム ,  漏れ電流 ,  磁気ヒステリシス ,  磁化 ,  界面 ,  圧縮応力 ,  相互作用 ,  *磁気電気効果 ,  *電気特性 ,  *薄膜 ,  金属基板 ,  固固界面 ,  界面相互作用
準シソーラス用語： 反射高エネルギー電子回折 ,  RFマグネトロンスパッタリング

分類 (3件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  酸化物結晶の磁性  (BM06050E)

タイトルに関連する用語 (4件)： Cr2O3 ,  薄膜 ,  磁気 ,  電気特性