RFスパッタリング法による窒化鉄薄膜作製に及ぼすN<sub>2</sub>ガス分圧比とDCバイアスの影響

関貴弘; 新妻清純

文献

J-GLOBAL ID：201402205402246300 整理番号：14A0226471

RFスパッタリング法による窒化鉄薄膜作製に及ぼすN₂ガス分圧比とDCバイアスの影響

Effect of N₂ Gas Pressure Ratio and DC Bias on Formation of Iron Nitride Thin Film by RF Sputtering Method

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資料名：
巻： 134 号： 1 ページ： 47-52 (J-STAGE) 発行年： 2014年
JST資料番号： S0808A ISSN： 0385-4205 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

RFマグネトロンスパッタリング法により,ソーダライムガラス基板上へ純鉄および窒化鉄薄膜を成膜した。まず,基準となる純鉄薄膜の投入電力依存性と成膜ガス圧依存性を検討した後,N₂ガス分圧比およびDCバイアス電圧を変化させて試料を作製し,得られた薄膜試料の結晶構造と磁気特性を評価した。そして,窒化鉄薄膜作製に及ぼすN₂ガス分圧比とDCバイアスの影響を検討した。その結果,N₂ガス分圧比の増加に伴い窒素組成の多い構造への変態することと,DCバイアスの加減により,窒素組成を制御可能であることが明らかとなった。

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固体デバイス製造技術一般

引用文献 (11件)：

(1) T. K. Kim and M. Takahashi : Appl. Phys. Lett., Vol. 20, p. 492 (1972)
(2) K. Nakajima and S. Okamoto : Appl. Phys. Lett., Vol. 56, p. 92 (1990)
(3) M. Komuro, Y. Kozono, M. Hanazono, and Y. Sugita : J. Appl. Phys. Lett., Vol. 67, p. 5126 (1990)
(4) M. Takahashi, H. Takahashi, T. Wakiyama, M. Kinoshita, and W. Ohta : IEEE Trans. Magn., Vol. 29, p. 3040 (1993)
(5) C. Gao, W. D. Doyle, and M. Shamsuzzoha : J. Appl. Phys., Vol. 73, p. 6579 (1993)

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RFスパッタリング法による窒化鉄薄膜作製に及ぼすN2ガス分圧比とDCバイアスの影響

RFスパッタリング法による窒化鉄薄膜作製に及ぼすN₂ガス分圧比とDCバイアスの影響