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J-GLOBAL ID：201402206375697865   整理番号：14A0844313

局部アモルファス化シリコン上の金ナノ構造の選択成長

Selective growth of gold nanostructures on locally amorphized silicon

著者 (7件)： ITASAKA Hiroki (Dep. of Material Chemistry, Graduate School of Engineering, Kyoto Univ.) ,  NISHI Masayuki (Dep. of Material Chemistry, Graduate School of Engineering, Kyoto Univ.) ,  SHIMOTSUMA Yasuhiko (Dep. of Material Chemistry, Graduate School of Engineering, Kyoto Univ.) ,  MIURA Kiyotaka (Dep. of Material Chemistry, Graduate School of Engineering, Kyoto Univ.) ,  WATANABE Masashi (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Lehigh Univ.) ,  JAIN Himanshu (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Lehigh Univ.) ,  HIRAO Kazuyuki (Dep. of Material Chemistry, Graduate School of Engineering, Kyoto Univ.)
資料名： Journal of the Ceramic Society of Japan (Web)  (Journal of the Ceramic Society of Japan (Web))
巻： 122  号： 1427  ページ： 543-546 (J-STAGE)  発行年： 2014年 
JST資料番号： U0409A  ISSN： 1348-6535  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 前報では,フォトリソグラフィー,電気分解,またはフッ化水素なしで,シリコンウェハ上に金ナノ構造を局所選択形成する方法について報告した。以前の方法では,シリコンウェハを特別に調整したAuイオン含有溶液に曝露したとき,金ナノ構造が局部的にアモルファス化した表面に選択的に成長した。局部アモルファス化表面は,例えば,集束イオンビーム(FIB)またはフェムト秒レーザ照射によって形成する。金イオン含有溶液はHAuCl₄の水溶液と(3-メルカプトプロピル)トリメトキシシラン(MPTMS)を混合することによって調製した。ここでは,アモルファス化シリコン上の金ナノ構造の選択成長のメカニズムについて検討した。FIB処理またはレーザ処理したシリコン上の溶液中の金イオンは,アモルファス化シリコンによって還元された。アモルファス化シリコン中に存在するケイ素ダングリングボンド欠陥は,金イオンを還元すると考えられる。最後に,MPTMSの使用は不要であり,単純なHAuCl₄水溶液で所望の結果が得られることを見出した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *薄膜成長 ,  *金 ,  ナノ構造 ,  選択成長 ,  ウエハ【IC】 ,  集束イオンビーム ,  パルスレーザ ,  レーザ照射 ,  *微細構造 ,  結晶構造 ,  水溶液 ,  金化合物 ,  ダングリングボンド ,  電子顕微鏡観察 ,  X線光電子分光法 ,  酸化 ,  フェムト秒レーザ
準シソーラス用語： 領域選択成長 ,  シリコンウエハ ,  微細組織 ,  *成長機構 ,  走査電子顕微鏡法

分類 (1件)： 金属薄膜  (BK14030T)

物質索引 (1件)： 3-メルカプトプロピルトリメトキシシラン

引用文献 (15件)：

• 1) M. A. El-Sayed, Acc. Chem. Res., 34, 257–264 (2001).
• 2) R. Parthasarathy, X.-M. Lin and H. M. Jaeger, Phys. Rev. Lett., 87, 186807 (2001).
• 3) M. Haruta, N. Yamada, T. Kobayashi and S. Iijima, J. Catal., 115, 301–309 (1989).
• 4) A. Gopinath, S. V. Boriskina, B. M. Reinhard and L. D. Negro, Opt. Express, 17, 3741–3753 (2009).
• 5) L. Rosa, K. Sun, J. Szymanska, F. E. Hudson, A. Dzurak, A. Linden, S. Bauerdick, L. Peto and S. Juodkazis, Phys. Status Solidi RRL, 4, 262–264 (2010).

タイトルに関連する用語 (5件)： アモルファス化 ,  シリコン ,  金 ,  ナノ構造 ,  選択成長