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J-GLOBAL ID：201402206998867400   整理番号：13A1973302

Ga₂O₃/CuGaSe₂ヘテロ接合光伝導体の電気的及び光学的特性

Electrical and optical properties of Ga₂O₃/CuGaSe₂ heterojunction photoconductors

著者 (6件)： KIKUCHI Kenji (NHK Sci. and Technol. Res. Laboratories, 1-10-11, Kinuta, Setagaya-ku, Tokyo, 157-8510, JPN) ,  KIKUCHI Kenji (Graduate School of Sci. and Technol., Keio Univ., 3-14-1, Hiyoshi, Kouhoku-ku, Yokohama, 223-8522, JPN) ,  IMURA Shigeyuki (NHK Sci. and Technol. Res. Laboratories, 1-10-11, Kinuta, Setagaya-ku, Tokyo, 157-8510, JPN) ,  MIYAKAWA Kazunori (NHK Sci. and Technol. Res. Laboratories, 1-10-11, Kinuta, Setagaya-ku, Tokyo, 157-8510, JPN) ,  KUBOTA Misao (NHK Sci. and Technol. Res. Laboratories, 1-10-11, Kinuta, Setagaya-ku, Tokyo, 157-8510, JPN) ,  OHTA Eiji (Graduate School of Sci. and Technol., Keio Univ., 3-14-1, Hiyoshi, Kouhoku-ku, Yokohama, 223-8522, JPN)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 550  ページ： 635-637  発行年： 2014年01月01日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 可視光センサに,Ga₂O₃/CuGaSe₂ヘテロ接合を有する光導体を使用することの実現可能性を研究した。暗電流を低減するために,CIGS薄膜に対してGa₂O₃を用いる正孔ブロック構造を提案した。この構造は,紫外光領域においてのみ感度を示した。ヘテロ接合での欠乏領域は,CIGS層にではなく,Ga₂O₃層にほとんど完全に広がっていた。したがって,キャリア密度を増大させるために,n型層としてSnドープGa₂O₃を用いた。結果として,欠乏領域は,CIGS膜に移動し,セルは,全可視領域に感度をもった。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *酸化ガリウム ,  *インジウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *セレン化物 ,  *銅化合物 ,  *ヘテロ接合 ,  *導体 ,  *センサ ,  暗電流 ,  キャリア密度 ,  欠乏 ,  *スズ ,  *ドーピング ,  *感度 ,  *光伝導体 ,  紫外領域 ,  可視領域 ,  *セレン化ガリウムインジウム銅
準シソーラス用語： *CIGS ,  *可視光センサ

分類 (4件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  光伝導,光起電力  (BM03050J) ,  分析機器  (CC02020S)

タイトルに関連する用語 (4件)： Ga2O3 ,  ヘテロ接合 ,  光伝導体 ,  光学的特性