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J-GLOBAL ID：201402207150306316   整理番号：14A0957322

大型サファイアの結晶成長とその光学特性

Crystal growth of large sapphire and its optical properties

著者 (5件)： KAWAMINAMI Shuichi (Advanced Ceramics Res. Center, Nagoya Inst. of Technol.) ,  KAWAMINAMI Shuichi (Shinkosha Co., Ltd.) ,  MOCHIZUKI Keisuke (Shinkosha Co., Ltd.) ,  ADACHI Nobuyasu (Advanced Ceramics Res. Center, Nagoya Inst. of Technol.) ,  OTA Toshitaka (Advanced Ceramics Res. Center, Nagoya Inst. of Technol.)
資料名： Journal of the Ceramic Society of Japan (Web)  (Journal of the Ceramic Society of Japan (Web))
巻： 122  号： 1428  ページ： 695-700 (J-STAGE)  発行年： 2014年 
JST資料番号： U0409A  ISSN： 1348-6535  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 200mmLEDウェハ用の大型サファイア結晶を頂部種付け融液成長(TSMG)法によって成功裏に成長させた。このサファイアはLED基板として優れた結晶性を持っていた。しかしながら,成長したままの結晶において,F-センター(V₀^x)によるUV域での顕著な吸収があった。この吸収を低減させるために,酸化雰囲気を用いたいくつかの熱処理法を調べた。空気あるいはO₂雰囲気中において,酸素拡散が遅く新しい吸収が生じるために低減することは困難であった。H₂-O₂燃焼火炎中での熱処理はUV域の吸収を低減するのに高度に効果的であることを見出した。燃焼火炎熱処理の後,サンプルは200nmにおいて0.5cm^-1より小さな吸収係数を持ち,なんら光ルミネセンス発光がカラーセンターによっては生じなかった。結果として,TSMG法で成長させたサファイア結晶は良好な結晶性とUV域での低い吸収を有していた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *基板 ,  大型 ,  単結晶 ,  結晶成長 ,  紫外線 ,  吸収 ,  *熱処理 ,  *融液成長 ,  火炎 ,  酸素 ,  水素
準シソーラス用語： *サファイア基板

分類 (2件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  酸化物の結晶成長  (BK13050I)

引用文献 (28件)：

• 1) E. R. Dobrovinskaya, L. A. Lytvynov and V. Pishchik, “Sapphire Material, Manufacturing, Applications”, Springer Science+Business Media, New York (2009).
• 2) Tokyo University of Agriculture and Technology, and Tokuyama corporation, http://www.tuat.ac.jp/~koukai/gakuho/2012/529/news2_siryou.pdf (2013) [in Japanese].
• 3) T. Oto, R. G. Banal, K. Kataoka, M. Funato and Y. Kawakami, Nat. Photonics, 4, 767–770 (2010).
• 4) A. Ren, Q. Sun, S. Y. Kwon, J. Han, K. Davitt, Y. K. Song, A. V. Nurmikko, W. Liu, J. Smart and L. Schowalter, Phys. Status Solidi, 4[c], 2482–2485 (2007).
• 5) A. I. Surdo, V. S. Kortov and V. A. Pustovarov, Radiat. Meas., 33, 587–591 (2001).

タイトルに関連する用語 (4件)： 大型 ,  サファイア ,  結晶成長 ,  光学特性