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J-GLOBAL ID：201402207187507958   整理番号：14A0710666

垂直積層グラフェン-MoS₂-金属へテロ構造の高青-近紫外フォトダイオードの応答

High blue-near ultraviolet photodiode response of vertically stacked graphene-MoS₂-metal heterostructures

著者 (6件)： WI Sungjin (Dep. of Mechanical Engineering, Univ. of Michigan, Ann Arbor, Michigan 48109, USA) ,  CHEN Mikai (Dep. of Mechanical Engineering, Univ. of Michigan, Ann Arbor, Michigan 48109, USA) ,  NAM Hongsuk (Dep. of Mechanical Engineering, Univ. of Michigan, Ann Arbor, Michigan 48109, USA) ,  LIU Amy C. (Dep. of Mechanical Engineering, Univ. of Michigan, Ann Arbor, Michigan 48109, USA) ,  MEYHOFER Edgar (Dep. of Mechanical Engineering, Univ. of Michigan, Ann Arbor, Michigan 48109, USA) ,  LIANG Xiaogan (Dep. of Mechanical Engineering, Univ. of Michigan, Ann Arbor, Michigan 48109, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 104  号： 23  ページ： 232103-232103-5  発行年： 2014年06月09日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *炭素材 ,  *硫化モリブデン ,  *金 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *半導体金属接合 ,  *フォトダイオード ,  量子効率 ,  波長依存性 ,  ヘテロ接合 ,  可視スペクトル ,  紫外スペクトル ,  青色光 ,  近紫外線 ,  ドーピング ,  プラズマ処理 ,  N型半導体 ,  P型半導体 ,  *グラフェン ,  プラズマドーピング ,  紫外可視スペクトル
準シソーラス用語： 外部量子効率

分類 (2件)： 半導体-金属接触  (BM03084G) ,  光導電素子  (NC03083X)

タイトルに関連する用語 (8件)： 垂直 ,  グラフェン ,  MoS2 ,  テロ ,  青 ,  近紫外 ,  フォトダイオード ,  応答