文献

J-GLOBAL ID：201402207965696607   整理番号：14A0413224

AlGaN/GaNヘテロ構造の低温熱処理前後の電気的特性に及ぼすプラズマ誘起欠陥の影響

Effects of plasma-induced defects on electrical characteristics of AlGaN/GaN heterostructure before and after low-temperature annealing

著者 (4件)： TAKIMOTO Takuma ,  TAKESHITA Koji ,  NAKAMURA Seiji ,  OKUMURA Tsugunori
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 557  ページ： 212-215  発行年： 2014年04月30日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Arプラズマに曝された,AlGaN/GaNヘテロ構造の電気的特徴を調べた。AlGaN/GaNヘテロ構造の表面領域近傍において,プラズマ誘起欠陥は暴露時間の増大とともに,AlGaN/GaN界面における2次元電子ガス(2DEG)密度および易動度を低下させることを見出した。2DEG密度の減少は,プラズマ誘起不規則性はAlGaN層のピエゾ分極を部分的に消滅させること,負に帯電した欠陥の導入により有効ショットキーバリア高さが増大すること,あるいは負帯電欠陥がプラズマ暴露中にSiドナーを不活性化または補償することを示唆している。さらに,バイアス電圧印加の下でのn-GaN層とともにAlGaN/GaNヘテロ構造において,プラズマ誘起欠陥のポストアニール挙動を調べた。Copyright 2014 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *素子構造 ,  化合物半導体 ,  *半導体薄膜 ,  *窒化ガリウム ,  アルミニウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  プラズマ曝露 ,  *欠陥 ,  *二次元電子ガス ,  Schottky障壁 ,  焼なまし
準シソーラス用語： *ヘテロ構造 ,  *窒化ガリウムアルミニウム ,  プラズマ照射 ,  ポストアニール処理

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： AlGaN ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  低温熱処理 ,  電気的特性 ,  プラズマ ,  誘起 ,  欠陥