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J-GLOBAL ID：201402209217389850   整理番号：14A0310249

ナノ粒子支援パルスレーザ蒸着を使用するダイヤモンド基板上の螺旋転位駆動二次元六方晶スタッキングによる一次元ZnOナノワイヤの形成

Formation of one-dimensional ZnO nanowires from screw-dislocation-driven two-dimensional hexagonal stacking on diamond substrate using nanoparticle-assisted pulsed laser deposition

著者 (8件)： KUMAR E Senthil (Indian Inst. of Technol. Madras, Chennai, IND) ,  CHANDRAN Maneesh (Indian Inst. of Technol. Madras, Chennai, IND) ,  BELLARMINE F (Indian Inst. of Technol. Madras, Chennai, IND) ,  MANNAM Ramanjaneyulu (Indian Inst. of Technol. Madras, Chennai, IND) ,  NAKAMURA Daisuke (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  HIGASHIHATA Mitsuhiro (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  OKADA Tatsuo (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  RAO M S Ramachandra (Indian Inst. of Technol. Madras, Chennai, IND)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 47  号： 3  ページ： 034016,1-7  発行年： 2014年01月22日 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 筆者らはナノ粒子支援パルスレーザ蒸着(NAPLD)法を使用するp型化学蒸着(CVD)ダイヤモンド基板上でZnOナノワイヤを成功裏に成長させた。ZnOナノワイヤの異なる成長段階が走査電子顕微鏡を使用して解析された。1D ZnOナノワイヤが螺旋状構造をもつ螺旋転位駆動2D六方晶スタッキングで形成されることが見出された。螺旋状六方晶スタッキングと1Dナノワイヤの形成は六角形の異なる領域で結晶成長速度を使用して説明された。単結晶性とc軸配向成長が透過電子顕微鏡と選択領域電子回折を使用して示された。室温光ルミネセンス(PL)スペクトルは,ZnOナノワイヤが138meVの線幅の3.2eVで強いUV発光を顕すことが示された。高い熱伝導ダイヤモンド基板上でZnOナノワイヤの実現は近未来で熱のないエレクトロニクスにおいて潜在的重要性を見出すであろう。

シソーラス用語： レーザ蒸着 ,  *酸化亜鉛 ,  ナノワイヤ ,  螺旋転位 ,  *光ルミネセンス ,  六方晶系 ,  積層構造 ,  ダイヤモンド ,  *結晶成長 ,  パルスレーザ蒸着
準シソーラス用語： スタッキング【結晶】

分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (8件)： ナノ粒子 ,  支援 ,  パルスレーザ蒸着 ,  ダイヤモンド基板 ,  螺旋転位 ,  六方晶 ,  スタッキング ,  ZnOナノワイヤ