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J-GLOBAL ID：201402210389449357   整理番号：14A0994129

金めっき浴中における銅不純物の電解除去による管理技術

Bath Control Technique by Electrowinning of Copper Ion Impurities in the Process of Gold Plating

著者 (4件)： 伊達和宏 (宇都宮大 大学院工学研究科) ,  吉原佐知雄 (宇都宮大 大学院工学研究科) ,  野澤純一 (大昌電子) ,  野尻尚克 (大昌電子)
資料名： エレクトロニクス実装学会誌  (Journal of Japan Institute of Electronics Packaging)
巻： 17  号： 5  ページ： 442-444  発行年： 2014年08月01日 
JST資料番号： S0579C  ISSN： 1343-9677  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 半導体集積回路チップとプリント配線板との電気的接続法の一つにワイヤボンディングがある。配線板表面の接続端子には通常,金めっきが施される。このとき,金めっき被膜中の金純度が高いほどワイヤーの接続強度も高くなり,長期寿命信頼性も向上するしかし,プリント配線板製造工程において,めっき浴中に不純物を持ち込まないというのは不可能に近い。本研究では,異なる電位で金めっき浴中の銅不純物除去を定電位電気分解除去により行い,電解採取後の採取電極を溶解してICP発光分光分析により採取物の定性・定量を行った。その結果,除去量,除去率という観点からみると -0.55V vs Ag/AgClのときに除去量,除去率ともに高い値を示した

シソーラス用語： *金めっき ,  *めっき液 ,  *銅 ,  不純物 ,  *電解採取 ,  *ワイヤボンディング ,  プリント基板 ,  *誘導結合プラズマ ,  ICP分析 ,  電気めっき ,  金属イオン ,  銅化合物 ,  数値 ,  比率 ,  除去 ,  銅イオン ,  *プラズマ
準シソーラス用語： めっき浴 ,  ICP ,  電解めっき ,  除去量 ,  除去率

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (5件)：

• 岡本康弘 : “めっきの基礎とノウハウ,“ 日刊工業新聞社, p.120, 2009
• 山名式雄 : “めっき作業入門,“ 理工学社, p.148, 2005
• 青谷 薫, 今井雄一, 川合 慧 : “金属メッキ技術,“ 槇書店, pp.189-190, 1979
• D. T. Sawyer, A. Sobkowiak, and J. L. Roberts, Jr.: “電気化学測定法の基礎,“ 丸善, p.43, 2003
• 電気化学会 : “電気化学測定マニュアル基礎編,“ 丸善, p.53,2002

タイトルに関連する用語 (4件)： 金めっき ,  銅 ,  不純物 ,  電解