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J-GLOBAL ID：201402210575835496   整理番号：14A1117840

AlNに富むAl_xGa_1-xN/Al_yGa_1-yN多重量子井戸粒界における励起子局在

Excitonic localization in AlN-rich Al_xGa_1-xN/Al_yGa_1-yN multi-quantum-well grain boundaries

著者 (6件)： AJIA Idris A. (Physical Sciences and Engineering Div., King Abdullah Univ. of Sci. and Technol. (KAUST), Thuwal Saudi Arabia) ,  EDWARDS P. R. (Dep. of Physics, SUPA, Univ. of Strathclyde, Glasgow, Scotland, GBR) ,  LIU Z. (R&D Center for Semiconductor Lighting, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  YAN J. C. (R&D Center for Semiconductor Lighting, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  MARTIN R. W. (Dep. of Physics, SUPA, Univ. of Strathclyde, Glasgow, Scotland, GBR) ,  ROQAN I. S. (Physical Sciences and Engineering Div., King Abdullah Univ. of Sci. and Technol. (KAUST), Thuwal Saudi Arabia)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 105  号： 12  ページ： 122111-122111-5  発行年： 2014年09月22日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *アルミニウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  化合物半導体 ,  ヘテロ接合 ,  *多重量子井戸 ,  励起子 ,  改変 ,  MOCVD ,  *光ルミネセンス ,  温度依存性 ,  *陰極線ルミネセンス ,  結晶粒界 ,  紫外発光スペクトル
準シソーラス用語： 局在化 ,  *窒化ガリウムアルミニウム

分類 (3件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  励起子  (BM02120E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (4件)： AlN ,  多重量子井戸 ,  粒界 ,  励起子