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J-GLOBAL ID：201402211510752239   整理番号：14A0404473

In₂Se₃の二次元ナノシートでの異常光応答

Extraordinary Photoresponse in Two-Dimensional In₂Se₃ Nanosheets

著者 (9件)： JACOBS-GEDRIM Robin B. (State Univ. New York, New York, USA) ,  SHANMUGAM Mariyappan (State Univ. New York, New York, USA) ,  JAIN Nikhil (State Univ. New York, New York, USA) ,  DURCAN Christopher A. (State Univ. New York, New York, USA) ,  MURPHY Michael T. (State Univ. New York, New York, USA) ,  MURRAY Thomas M. (State Univ. New York, New York, USA) ,  MATYI Richard J. (State Univ. New York, New York, USA) ,  MOORE Richard L., II (State Univ. New York, New York, USA) ,  YU Bin (State Univ. New York, New York, USA)
資料名： ACS Nano  (ACS Nano)
巻： 8  号： 1  ページ： 514-521  発行年： 2014年01月 
JST資料番号： W2326A  ISSN： 1936-0851  CODEN： ANCAC3  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元結晶質半導体ナノシートの光応答機構を明確化するために,セレン化インジウム(In₂Se₃)ナノシートでの光応答について検討した。剥離法でセレン化インジウムのナノシートを調製した。これを石英ガラス板に堆積して,Pt電極を形成した。ナノシートに光を照射し,Pt電極間で光電流を測定した。可視光の応答スペクトル,バイアス依存性,外部量子効率,応答時間,検出感度などを調べた。可視光に対する光電流が非常に高く,5Vのバイアスで外部量子効率や応答時間が大きくなることが分かった。検出感度も向上した。この異常光応答機構を解析した。この結果,半導体ナノシートでは,キャリア再結合が減少し,光電流が向上することが分かった。暗い条件でも実時間検出が可能になる。

シソーラス用語： *インジウム化合物 ,  セレン化物 ,  依存性 ,  バイアス ,  キャリア再結合 ,  応答スペクトル ,  量子効率 ,  石英ガラス ,  *ナノ構造 ,  膜 ,  応答時間 ,  感度 ,  二次元 ,  応答 ,  異常 ,  *光電流 ,  *半導体薄膜 ,  *ナノシート ,  *セレン化インジウム
準シソーラス用語： 光応答

分類 (2件)： 光伝導,光起電力  (BM03050J) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (2件)： ナノシート ,  光応答