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J-GLOBAL ID：201402211512198255   整理番号：14A0433129

負荷コンバータの高周波数ガリウム窒化物ベースポイントにおける回路性能に及ぼすPCBレイアウトの影響理解

Understanding the Effect of PCB Layout on Circuit Performance in a High-Frequency Gallium-Nitride-Based Point of Load Converter

著者 (2件)： REUSCH David (Efficient Power Conversion Corp., CA, USA) ,  STRYDOM Johan (Efficient Power Conversion Corp., CA, USA)
資料名： IEEE Transactions on Power Electronics  (IEEE Transactions on Power Electronics)
巻： 29  号： 4  ページ： 2008-2015  発行年： 2014年04月 
JST資料番号： D0211B  ISSN： 0885-8993  CODEN： ITPEE8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高いコンバータスイッチング速度および低いパッケージ寄生インダクタンスを実現するうえで,PCBレイアウトは重要ファクタとなる。本論文では,従来型PCBレイアウトの限界を克服しeGaN FETの最良性能を実現する最適レイアウトを提案した。本レイアウトで実現した項目は次の通りである。1)高周波数ループインダクタンスの40%低減。2)電圧オーバシュートの35%低減。3)トータル電力損失の10%低減。4)ボード厚に独立の高周波数ループインダクタンスによるコンパクトな片面設計。本PCB設計法により,eGaN FETの性能は市販されている最良の等価シリコン素子を大きく上回った。最適レイアウトの使用により,eGaN FET技術の利点はさらに増大し,付加的効率利得および高電圧運転能力をもたらした。

シソーラス用語： *電力変換器 ,  HF【周波数】 ,  窒化ガリウム ,  回路特性 ,  *プリント基板 ,  配置設計 ,  *FET【トランジスタ】 ,  インダクタンス ,  オーバシュート ,  電気損失
準シソーラス用語： コンバータ【電力】 ,  レイアウト設計 ,  *印刷回路基板 ,  高周波数 ,  電力損失

分類 (3件)： 電力変換器  (NB08030B) ,  プリント回路  (NA05040O) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： コンバータ ,  高周波数 ,  ガリウム窒化物 ,  ポイント ,  回路性能 ,  PCB ,  レイアウト ,  理解